반도체 소재 및 기술 라이선싱 기업인 Atomera가 RF 애플리케이션에서 GaN 온 실리콘의 사용을 제한하는 성능 장벽 해결에 가까이 다가갔다. 고주파수에서 효율을 저하시키는 기생 채널 손실로 인해 RF 애플리케이션에서 성능이 저조했던 GaN-on-Silicon에 대해 그 손실을 줄여주는 기술로 다가간 것.
이 회사의 MST(Modified Stimulation Technology)® 기술이 적용된 최신 GaN-on-Si 소자는 기생 계면 전하를 10분의 1 이상 크게 감소시켰다. 탁월한 선형성과 전력 처리 능력을 보여주는 선형성 이점은 고출력 영역까지 적용되어 일반적으로 최첨단 RF SOI 기술에서 볼 수 있는 성능 수준에 근접한다는 것이 회사측의 주장이다.
이 MST 기술 방식은 실리콘 웨이퍼 표면 근처에 얇은 산소 변형층을 도입하여 GaN 성장에 더욱 유리한 환경을 조성하고 고성능 RF 소자에 실리콘을 더욱 적합한 소재로 만들어준다. 이 제어된 층은 실리콘 격자 구조를 변형시키고 전기적 도핑 물질의 확산을 차단하여 GaN/실리콘 계면의 결정 품질을 향상시키게 된다.
회사측의 자체 결과, MST는 기생 채널 전하를 10배 이상 감소시켜 RF 전력 손실의 주요 원인을 줄이고 고주파 GaN 소자의 성능 향상을 지원했다.
테스트 데이터는 또한 MST가 스트레스 상황에서도 신호 품질 또는 선형성을 유지하면서 상당한 전력을 처리할 수 있도록 해준다는 것을 입증했다.
이 기술은 더욱 안정적인 생산 단계에 이르면 5G, 6G 및 기타 고주파 RF 장치의 저비용 GaN 솔루션이 될 것으로 보인다.
