Coherent, 차세대 AI 데이터센터용 300mm SiC 플랫폼 개발해

Coherent SiC

코히런트(Coherent)가 인공지능(AI) 데이터센터 인프라에서 급증하는 열 효율 향상 요구에 대응하기 위해 설계된 차세대 300mm 탄화규소(SiC) 플랫폼 개발에 있어 중요한 성과를 거두었다. 회사측에 의하면 이 플랫폼의 핵심은 낮은 저항, 최소한의 결함 수준 및 탁월한 균일성을 위해 설계된 전도성 SiC 기판으로, 이를 통해 강력한 열 안정성과 함께

T2PAK 탑쿨 패키지의 EliteSiC MOSFET

온세미(Onsemi)가 업계 표준 T2PAK 탑쿨 패키지에 EliteSiC MOSFET을 출시하여 자동차 및 산업용 애플리케이션의 전력 패키징 기술을 한 단계 발전시켰다. 이 신제품은 전기 자동차, 태양광 발전 설비, 에너지 저장 시스템 등 고출력, 고전압 애플리케이션에 최적화된 성능을 제공하며 향상된 열 성능, 신뢰성 및 설계

고성능 SiC MOSFET 시장 출시를 단축시키는 플랫폼 나와

독일의 아날로그/혼합 신호 및 특수 파운드리 업체인 X-FAB이 자사의 XbloX 플랫폼을 통해 표준화되면서도 유연한 탄화규소(SiC) 공정 기술에 대한 손쉬운 접근성을 제공하여 첨단 전력 소자 개발을 가속화한다고 밝혔다. 신속한 프로토타이핑부터 양산에 이르기까지, 모듈식이며 완벽하게 확장 가능한 XbloX 플랫폼은 SiC 소자 개발자들이 엔지니어링 평가

GaN 분야의 IP 등록이 늘어난다

2025년 3분기에는 426개의 특허 패밀리가 처음으로 등록되어 GaN 생태계의 경쟁적 통합을 여실히 보여주었다. 230개 이상의 신규 특허 패밀리가 전력 분야와 관련된 반면, RF 분야는 90개에 불과했다. 약 100개의 신규 특허 패밀리는 다중 응용 분야 발명을 다루었다. 이 기간 동안 많은 IP 신규 진입

Vishay의 800V 배터리 모니터링 시스템용 1500V SSR

비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology)가 4핀 SMD-8 패키지로 제공되는 새로운 1500V 자동차용 1등급 A형 솔리드 스테이트 릴레이를 출시했다. 자동차, 에너지 저장 장치 및 산업용 800V 배터리 모니터링 시스템용으로 설계된 VORA1150은 1414Vpeak의 높은 반복 절연 전압과 1µA의 낮은 최대 누설 전류를 결합했다. 이 릴레이는 4핀 설계를

무효전력 시장 참여 가능한 계통급(grid-scale) 에너지 저장 솔루션

Energy Vault ESS

계통급(grid-scale) 에너지 저장 솔루션의 글로벌 리더인 에너지볼트 홀딩스(Energy Vault Holdings)가 ‘플렉스그리드(FlexGrid)’ 출시와 함께 스위스 시장에 공식 진출한다. 상업·산업(C&I) 고객을 위해 고안된 플렉스그리드는 2~25MW 규모의 산업, 상업 및 소규모 유틸리티 애플리케이션용으로 설계된 ‘B-VAULT 배터리 에너지 저장 시스템(BESS)’ 플랫폼의 새로운 구성을 기반으로 한다. 플렉스그리드 출시는

AI 워크로드 환경에서 GPU와 HBM 최고 온도 낮춘다

벨기에의 기술 그룹 아이멕(Imec)이 시스템-기술 공동 최적화(system-technology co-optimization·STCO) 접근법을 활용해 3D HBM-on-GPU 통합에 대한 최초의 포괄적인 '열(thermal)' 연구를 발표했다. 본 연구는 AI 애플리케이션을 위한 차세대 유망 컴퓨팅 시스템 아키텍처에서 발생할 수 있는 열 병목 현상을 식별하고 완화할 수 있게 해준다. 연구 결과에 의하면 실제

미쓰비시, 고전압 IGBT 제품군 확대

미쓰비시 전기가 4.5kV/1,200A XB 시리즈 고전압 HVIGBT에서 새로운 표준 절연(6.0kVrms) 및 고절연(10.2kVrms) 모듈을 출시했다. 이러한 새로운 고용량 전력 반도체는 야외를 포함한 다양한 환경에서 작동하는 철도차량과 같은 대형 산업 장비에 사용되는 더욱 효율적이고 안정적인 인버터를 위해 높은 내습성을 달성했다. 새로운 모듈은 미쓰비시 전기의 독점적인 RFC(Relaxed

Onsemi와 Innoscience, GaN 전력 소자 출시 협력해

Onsemi와 Innoscience가 40~200V부터 시작하여 GaN 전력 소자의 배포를 가속화하고 고객 채택을 확대할 수 있는 기회를 평가하기 위한 양해각서(MoU)에 서명했다. 양사의 양해각서에 따라 Onsemi의 통합 시스템 및 패키징 분야 경험과 Innoscience의 GaN 기술 및 대량 생산이 결합하여 산업, 자동차, 통신 인프라, 소비자 및 AI

올 3분기의 GaN 특허 70%는 중국 기업이…

2025년 3분기의 GaN 산업은 599건의 신규 특허을 등록했다. 이러한 특허의 70%가 중국 기업에서 출원되어 중국이 GaN 개발을 선도하려는 지속적인 노력을 보여주었다고 시장조사기관인 KnowMade가 밝혔다. 이 중 376개의 신규 특허 패밀리가 전력 응용 분야를 대상으로 하는데 이는 RF 기술을 크게 앞지르는 수치이다. 107개의