GE Aerospace가 4세대 SiC 전력 MOSFET 칩을 발표했다. 5mm x 5mm 칩 크기로 제공되는 최신 세대 SiC 전력 소자는 1200V, 11mΩ를 제공하며, 온도 정격은 200°C이다. 산업계가 하이브리드 및 배터리 전기 자동차(HEV 및 BEV) 플랫폼에 첨단 반도체를 도입함에 따라 이러한 전력 장치는 효율성과 전력
Author: 이철민 기자
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