MOSFET과 IGBT의 핵심적인 차이점은 내부 구조와 전도 캐리어 유형에 있다. 구조적으로 MOSFET은 단일 전계 효과 트랜지스터 아키텍처를 특징으로 하는 반면, IGBT는 MOSFET 게이트와 바이폴라 트랜지스터 출력을 결합한 형태이다. 전도 캐리어 측면에서 MOSFET은 다수 캐리어에만 의존하는 단극성 소자인 반면, IGBT는 다수 캐리어와 소수
Author: 이철민 기자
파워일렉트로닉스 매거진의 뉴스 에디터 입니다. 전력전자 및 배터리, 모빌리티 관련 이야기를 풀어가고 있습니다.
ROHM launches SiC MOSFETs in TOLL package achieving miniaturization and high-power capability
ROHM has begun mass production of the SCT40xxDLL series of SiC MOSFETs in TOLL (TO-Leadless) packages. Compared to conventional packages (TO-263-7L) with equivalent voltage ratings and on-resistance, these new packages offer approximately 39% improved thermal performance. This enables high-power handling despite their compact size
