고집적∙고효율로 하이퍼스케일 데이터센터 및 AI 팩토리 구축위한 수냉식 솔루션 

슈퍼마이크로컴퓨터가 엔비디아 HGX B300 기반 4U 및 2-OU(OCP) 수냉식 솔루션을 출시하고, 출하를 시작했다. 슈퍼마이크로의 엔비디아 블랙웰 아키텍처 제품군에 새롭게 추가된 두 제품은 슈퍼마이크로 데이터센터 빌딩 블록 솔루션(Data Center Building Block Solutions; 이하 DCBBS)의 핵심 구성으로, 하이퍼스케일 데이터센터와 AI 팩토리를 위한 높은 GPU

연료전지 및 전기분해기용 플로우 플레이트 산업 호황

연료전지 및 전기분해기 제조업체에 첨단 플로우 플레이트를 공급하는 스위스 기업인 셀 임팩트(Cell Impact)가 아시아 시장에서의 입지를 강화한다. 이 회사는 기존 성형 방식에 비해 확장성과 비용 효율성이 현저히 뛰어난 고속 성형 기술인 셀 임팩트 포밍을 개발해 특허를 취득한 기업이다. 셀 임팩트 포밍(Cell Impact Forming™)은 물을 전혀 사용하지 않고 전력 소모도 극히 적은 친환경 성형 기술이다. 셀 임팩트는 최근 아시아 주요 자동차 제조업체와 플로우 플레이트 제조에 사용되는 성형 공구의 생산 및 납품 계약을 체결했다. 이번 주문 규모는 150만 스웨덴 크로나(SEK)로, 2026년 1분기 중 납품될 예정이다. Cell Impact

‘양방향 충전의 기초 및 응용’ 백서 발간돼 

에너지 저장 시스템 분야 전문기업인 시그에너지(Sigenergy)와 뮌헨에 본사를 둔 선도적인 에너지 유연성 중개 사업자 더 모빌리티 하우스 에너지(The Mobility House Energy)가 공동으로 '양방향 충전의 기초 및 응용(Fundamentals and Applications of Bi-Directional Charging)'이라는 제목의 백서를 발간했다. 백서는 양사가 유럽 전역에서 상용 V2G (Vehicle-to-Grid)를

5×6mm 패키지의 AI 서버용 초소형 SOA MOSFET

인공지능 기술의 급속한 발전과 광범위한 도입으로 인해 생성형 AI 및 고성능 GPU를 탑재한 서버의 안정적인 운영과 전력 효율 향상에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히 핫스왑 회로에서는 돌입 전류 및 과부하 조건을 효과적으로 처리하고 안정적인 작동을 보장하기 위해 넓은 SOA(State of Action)를 갖춘

[테크 인사이트] 한겨울 추위를 이기고 빠르게 충전하라

EV Battery pre-warming image

테슬라와 현대·기아의 배터리 예열 기술과 전략 분석 전기차 운전자라면 겨울이 오기 무섭게 주행거리 감소와 충전 시간 증가를 걱정하게 된다. 같은 급속충전기에 차를 연결해도, 여름에는 30분이면 되던 충전이 겨울에는 1시간 이상 걸리는 일이 흔하다. 이 현상은 단순히 “추워서 그렇다”는 수준을 넘어, 배터리 내부에서 일어나는

ROHM, TOLL 패키지 13~65mΩ SiC MOSFET 양산 개시

AI 서버나 소형 태양광(PV) 인버터와 같은 응용 분야에서는 전력 정격이 높아지는 추세와 소형화에 대한 요구가 동시에 나타나면서 더 높은 전력 밀도를 달성하기 위해 고출력 MOSFET이 필요성이 높자이즌 추세이다. 특히 슬림형('피자 박스형') 전원 공급 장치용 토템폴 역률 보정(PFC) 회로에서는 개별 반도체의 두께가 4mm

[테크 인사이트] 혹한 속 전기차, ‘배터리 예열 충전’이 필요한 이유

전기차 운전자라면 겨울만 되면 주행거리 감소와 느린 충전에 한숨이 먼저 나온다. 눈이 쌓인 도로와 영하의 기온 속에서는 배터리 내부 화학 반응이 둔해져, 같은 충전기라도 평소보다 훨씬 오래 기다려야 하기 때문이다. 추운 날씨에서는 충전 속도가 20~30% 감소하며, 심한 경우 충전 시간이 1시간 이상

IGBT와 MOSFET 비교: 주요 차이점, 기호 및 선택 가이드

MOSFET과 IGBT의 핵심적인 차이점은 내부 구조와 전도 캐리어 유형에 있다. 구조적으로 MOSFET은 단일 전계 효과 트랜지스터 아키텍처를 특징으로 하는 반면, IGBT는 MOSFET 게이트와 바이폴라 트랜지스터 출력을 결합한 형태이다. 전도 캐리어 측면에서 MOSFET은 다수 캐리어에만 의존하는 단극성 소자인 반면, IGBT는 다수 캐리어와 소수