Author: 이철민 기자

파워일렉트로닉스 매거진의 뉴스 에디터 입니다. 전력전자 및 배터리, 모빌리티 관련 이야기를 풀어가고 있습니다.

0V 꺼짐 시 높은 효율을 달성하는 SiC MOSFET 게이트 드라이버 설계

by 이철민 기자 -

Darren Chen, Sr. Application Engineer, Diodes Incorporated 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 우수한 스위칭 속도, 낮은 전도 손실, 고온 성능 덕분에 고효율 및 고전력 밀도 전력 변환 시스템에서 점점 더 많이 채택되는 추세이다. 그러나 SiC 소자의 빠른 전압 슬루 속도(dV/dt)는 특히 하프브리지 및 풀브리지 토폴로지에서

Dynex, 고급 450A, 650V GaN 전력 모듈 출시

by 이철민 기자 -

영국의 다이넥스 세미컨덕터(Dynex Semiconducror)가 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 초고속 스위칭, 고효율 및 향상된 열 관리를 제공하도록 설계된 새로운 450A, 650V GaN 하프 브리지 전력 모듈을 개발했다. 이 새로운 모듈은 첨단 반도체 기술과 혁신적인 패키징을 결합하여 전기차 전력 시스템, 신재생 에너지 인버터, 에너지

울프스피드, 고전압 탄화규소(SiC) 도입 가속화

by 이철민 기자 -

GE 에어로스페이스와 울프스피드가 산업, 항공우주 및 방위 시장 전반에 걸쳐 고전압 탄화규소의 도입을 가속화하기 위한 협력 양해각서(MOU)를 체결했다. 이번 양해각서(MOU)에 따라 양사는 고전압 탄화규소 전력 모듈 표준을 개발하여 고체 변압기, 산업 전력화, 차세대 항공우주 및 방위(A&D) 플랫폼을 지원하고 공급망 복원력을 강화할 계획이다. 이러한

[Tech Watch] 온보드 충전기

by 이철민 기자 -

충전 스테이션 인프라가 제한적인 자동차에는 OBC(On Board Charger: 차량 내 장착 충전기)의 필요성이 매우 중요하다. 그러나 자동차 제조사들은 OBC의 비용, 크기, 무게와 필요한 냉각 시스템을 최소화하는게 우선 과제로 여겨진다. 이에 따라 GaN 소자의 장점을 활용한 VisIC의 D3GaN은 빠른 전환과 낮은 스위칭 손실을 보장하는

AlpSemi, 차세대 고체 회로 차단기 전력 스위치 시장 확대한다

by 이철민 기자 -

알프세미가 프랑스의 Yotta Capital 주도하에 SE Ventures, Navitas Semiconductor, Cycle Group이 참여한 1,700만 유로 규모의 투자 라운드를 성공적으로 완료했다. 이 자금은 주거 및 상업용 건물의 고체 차단기(SSCB)와 800V 직류(DC) AI 데이터 센터를 위해 특별히 설계된 AlpSemi의 차세대 반도체 전력 스위치의 산업화 및 상업적

업계 최저 수준의 RDS(on) 200V MOSFET

by 이철민 기자 -

iDEAL Semiconductor의 업계 최고 수준 온 저항 SuperQ® 200V MOSFET 포트폴리오들은 가장 널리 사용되는 전력 반도체 패키지에 적용된다. 2026년 하반기에 기존 패키지에 200V, 5.5mΩ SuperQ 성능 벤치마크를 확장할 제품들은 다음과 같다. iS20M5R5S1T 는 업계 표준 TOLL 패키지에서 사용 가능한 200V MOSFET 중 가장 낮은 RDS (on)