NoMIS Power의 6.5kV 대형 다이 SiC MOSFET은 8kV 이상의 차단 전압, 90mΩ의 온 저항, 55A의 드레인 전류를 특징으로 한다. 한편 이 제품은 현재 미국 고객사들을 대상으로 샘플링 진행 중이다. 온 저항 변형 제품, 소형 다이 소자, 하이브리드 접합-장벽 쇼트키 FET(JBSFET) 소자, 독립형 다이오드를
Author: 이철민 기자
Ambiq’s ultra-low power SoCs feature scalable edge AI and platform enhancements for intelligent devices
Ambiq Micro unveiled Apollo330 Plus and Apollo510 Lite SoC series designed to help manufacturers bring high-performance, power-efficient edge AI devices to market faster, are now available. The Apollo330 Plus and Apollo510 Lite series span six variants—Apollo330 Plus, Apollo330B Plus, Apollo330M Plus, Apollo510 Lite, Apollo510B Lite, and
[Hot] 자동차 USB Type-C 충전 설계를 간소화하는 동기식 벅 컨트롤러
Diodes, ElevATE Semiconductor 인수로 아날로그 및 혼성 신호 분야 사업 확대해
‘제로’ 전류 소비 달성한 다기능 부하 스위치 IC
Toshiba begins shipping engineering samples of standard microcontrollers for system control applications
Toshiba Electronic Devices & Storage has announced TXZ+™ Family Entry-Class M4V Group, standard microcontrollers featuring an Arm® Cortex®-M4 core with a floating-point unit (FPU), that enhance security and data management in IoT devices and industrial equipment. Engineering samples are available. The widespread adoption of
자동차용 고효율 및 고전력 밀도 변환기
PI, 차세대 고전압 전력 시스템용 2200V GaN 기술 시연해
Nano One, LFP 생산 능력 85% 늘려
PI demonstrates world’s first 2200V GaN technology for next-era high-voltage power systems
Power Integrations (PI) announced that PowiGaN™ gallium-nitride (GaN) technology is now rated at up to 2200 V, far exceeding the voltage capabilities of all other commercially available GaN technologies. This breakthrough positions PowiGaN as the leading technology solution for high-voltage data centers,