핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 동기식 벅 또는 하프 브리지 구성에서 하이 사이드 및 로우 사이드 N 채널 MOSFET을 구동하도록 설계된 고성능 게이트 드라이버 IC 시리즈를 출시했다. 이 소자들은 높은 전류 출력과 뛰어난 동적 성능을 제공해 응용 제품의 효율성과 견고성을 향상시켜준다. 자동차 인증을 받은
Author: 오승모 기자
PEMK(파워일렉트로닉스)와 아이씨엔매거진을 담당하고 있는 오승모 편집장입니다. 공유에너지, 공유경제 사회를 추구합니다. oseam@icnweb.co.kr