탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 전력 전자기술에 혁명을 일으킨 와이드 밴드갭 반도체이다. SiC는 높은 열전도도, 높은 전압 허용 범위, 효율성을 제공하여 전기 자동차 (EV) 및 재생 에너지 시스템과 같은 고전력 애플리케이션에 이상적이다. 반면 GaN은 고주파 작동에 뛰어나며 가전제품과 통신에 일반적으로 사용된다. 두 소재 모두 시스템이 더 높은 전압과
Author: PEMK 매거진
PEMK(파워일렉트로닉스 매거진 코리아) 에디터입니다.
