SK하이닉스 자회사 SK키파운드리가 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발에서 괄목할 만한 성과를 거뒀다. 비즈니스코리아의 최근 보고서에 따르면 파운드리 공장은 2024년 하반기부터 테슬라용 전력반도체 생산을 시작할 예정이다.
보고서에 따르면 SK 키파운드리는 6월 초에 효율성과 내구성 면에서 전통적인 실리콘 기반 반도체를 능가하는 650V GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 주요 소자 특성을
전력 밀도, 성능 및 크기를 최적화한 새로운 온보드 충전 솔루션 내놓는다
좌: 제임스 탕(James Tang) 델타 일렉트로닉스 모빌리티 부문 총괄 부사장 겸 전기차 솔루션 사업 그룹 책임자 / 우: 아미카이 론(Amichai Ron) TI 임베디드 프로세싱 부문 수석 부사장
텍사스 인스트루먼트(TI)는 글로벌 전력 및 에너지
온세미, 미국 메인 주 사우스 포틀랜드 공장 매각 최종 계약 체결 및 벨기에 공장 매각 마무리
지능형 전력 및 센싱 기술의 선도기업인 온세미(onsemi)는 매출총이익 확장을 통해 지속 가능한 재무 성과 목표를 달성하기 위한 팹-리터(fab-liter) 제조 전략을 실행한다고 밝혔다.
온세미는 지난 주 미국 메인(Maine) 주
5G, 위성 통신 및 방위 애플리케이션의 성능 요건을 충족하는 새로운 MMIC 및 디스크리트 디바이스
마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표: 한병돈)는 최대 20GHz(기가헤르츠) 주파수를 지원하는 새로운 MMIC(단일마이크로파집적회로) 및 디스크리트 트랜지스터를 출시해 GaN(질화갈륨) RF(무선 주파수) 파워 디바이스 포트폴리오를 확장했다. 이들 디바이스는 PAE(전력부가효율) 및 고선형성을 결합해 5G에서
GaN(질화갈륨) 전력 소자는 2010년에 International Rectifier가 개발한 이후 2012년에는 최초의 6인치 GaN 온 실리콘 웨이퍼의 출현으로 이어졌다. 베리파이드 마켓 리서치의 최근 발표에 의하면 GaN 반도체 소자 시장은 작년에 16억 3천만 달러의 규모를 형성했던 것으로 추정된다. 이 수치는 2028년에 553억 달러의 규모로 커져,
5G 인프라용 NXP 멀티칩 모듈 내 GaN 성능을 8% 향상
NXP 반도체는 질화갈륨(GaN) 기술을 멀티칩 모듈 플랫폼에 통합해 5G 에너지 효율성을 크게 향상 했다고 밝혔다. 미국에서 RF 전력 증폭기 전용 팹(fab) 중 가장 고도화된 애리조나 GaN 팹에 투자해 온 NXP는 GaN의 고효율성과 멀티칩
저자_ EPC의 알렉스 리도우 박사, 로버트 스트릿트머트 박사, 성케 장 박사, 알레한드로 포조 박사
서론
질화 갈륨 (GaN) 전력 소자는 놀라운 필드 신뢰성 기록을 세우며2010년 3월부터 대량 생산되어오고 있다[1]. 질화 갈륨 전력 소자를 대량으로 사용하는 자동차 응용 분야는 자율 주행 차량용 LiDAR이다. LiDAR 기술은
고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품 전문업체인 트랜스폼이 특허 받은 SuperGaN 전계효과 트랜지스터(FET)의 제5세대 제품의 샘플 공급을 시작했다. 트랜스폼의 이 TP65H015G5WS 소자는 전기자동차 시장을 겨냥한 것으로서 설계가 쉬운 것이 특징이다. SuperGaN 계열 제품이기 때문에 원가 구조가 최적화 된 것도 장점.
이 5세대 GaN솔루션은 패키징 된
트랜스폼(Transphorm Inc.)이 4세대 GaN 플랫폼을 발표했다.
고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 선도적으로 설계하고 제조하는 트랜스폼의 최신 기술은 자사의 이전 세대 GaN 제품에 비해 성능, 설계성 및 가격 면에서 눈에 띄게 향상됐다. 이와 관련, 트랜스폼은 또 4세대 및 미래 세대 플랫폼을 SuperGaN™기술이라고 명명했다.
첫 번째 JEDEC인증 받은
