GaN 전력 반도체 전문업체인 트랜스폼이 전기 자동차(“EV”) 충전 애플리케이션을 위한 두 가지 새로운 레퍼런스 디자인을 출시했다. 300W 및 600W 정전류/정전압(Constant Current/Constant Voltage)(CC/CV) 배터리 충전기는 이 회사의 70 및 150밀리옴 SuperGaN® 소자를 사용해 경쟁력 있는 비용으로 높은 전력 밀도로 고효율 AC-DC 전원 전환을
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화합물 전력반도체 고도화 개발, 5년간 1,385억 투입한다
CGD의 ICeGaN HEMT, TSMC의 유럽 연례행사에서 혁신 부문 ‘최고의 데모’로 선정
마우저와 비쉐이, 차세대 인더스트리 4.0 지원 기술을 조명한 새로운 전자책 발간
Transphorm unveils six SuperGaN FETs pin-to-pin compatible with e-mode devices
Transphorm announced the availability of six (6) surface mount devices (SMDs) available in Industry Standard PQFN 5x6 and 8x8 packages. These SMDs deliver the reliability and performance advantages offered by Transphorm’s patented SuperGaN® d-mode two-switch normally-off platform in the package configurations typically
[Application Note] 고속 GaN 트랜지스터를정확히 측정하려면
[New] 넥스페리아의 저전압 및 고전압 응용 제품용 e-모드 GaN FET
[백서] 마이크로그리드의 효율적인 신재생 에너지 관리
EPC’s GaN transistors bring newest radiation-hardened technology to space applications
Projected GaN device lifetime in real world applications
EPC announced the publication of its Phase-15 Reliability Report, documenting continued work using test-to-fail methodology and adding specific reliability metrics and predictions for real world applications including solar optimizers, lidar sensors, and DC-DC converters. This report presents the results of testing eGaN