지능형 전력 솔루션 업체인 온세미의 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC)는 에너지 인프라 및 산업용 응용 시스템에 적용되는 고효율 솔루션이다. 1700 V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1)는 고전력 산업용 응용 시스템에 필요한 더 높은 항복 전압(BV) SiC 솔루션이다. 1700 V 급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(NDSH25170A, NDSH10170A) 2개를 통해 설계자는 SiC로 고효율을 제공하면서 고온에서 안정적인 고전압 작동을 달성할 수 있다. 재생 에너지
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온세미, 일렉트로니카 2022서 다양한 혁신 기술 시연
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온세미, 미 뉴햄프셔의 SiC 생산 시설 확장
UnitedSiC extends highest performance, most efficient 750V SiC FET portfolio for power designs
Qorvo announced seven 750V silicon carbide (SiC) FETs in the surface mount D2PAK-7L package. With this package option, Qorvo’s SiC FETs are tailored for the rapidly growing applications of onboard chargers, soft-switched DC/DC converters, battery charging (fast DC and industrial) and IT/server power supplies. They