신규 12V·6V 아키텍처 출시로 전력 효율 극대화 및 기가와트급 AI 인프라 구축 가속화 ST마이크로일렉트로닉스, 엔비디아와 협력해 AI 데이터센터용 800 VDC 전력 솔루션 확장 인공지능(AI) 기술이 비약적으로 발전하면서 이를 뒷받침하는 데이터센터는 거대한 '전기 먹는 하마'가 되었다. 하이퍼스케일러와 대규모 연산을 수행하는 AI 컴퓨팅 분야에서는 전력 손실을
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고전압의 장벽을 넘는 보안관… ST, 자동차용 초고속 절연 게이트 드라이버 공개
ST, 범용 하프 브리지 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신
20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다. STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다. STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력
