내연기관을 넘어 하이브리드와 전기차의 시대로 접어들면서 차량 내부에서 다루는 전압의 단위가 달라지고 있다. 수백 볼트에서 천 볼트가 넘는 고전압은 차량을 움직이는 강력한 힘이 되지만, 이를 제어하는 정밀한 전자 두뇌에는 치명적인 위협이 될 수 있다. 세계적인 반도체 기업인 ST마이크로일렉트로닉스는 이러한 고전압의 위협으로부터 시스템을
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ST, 범용 하프 브리지 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신
20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다. STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다. STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력
