Fortune Advanced Technology의 USB PD 3.1 EPR(36V) Type-C® 고전압 LDO FA2255는 단일 칩 고전압 선형 레귤레이터이다. 이 제품은 최대 40V의 입력 전압을 지원하며 피드백 전압(VFB)에서 최대 25V까지 출력 전압을 조절해준다.
고전압 모드는 USB Type-C® 규격에서 중요한 설계 요소로서 기기의 전원이 완전히 차단된 경우에도
인피니언 테크놀로지스가 소프트웨어 정의 차량(SDV)을 위한 고집적 12V 차량용 eFuse인 SPOC™ Wire Guard BTS80009-SWPx-1ES를 출시했다. 자동차용 차세대 전력 분배 솔루션인 이 제품은 SPI 인터페이스를 지원한다.
이 제품은 보호 기능이 내장된 하이사이드 스위치에 통합 I²t 와이어 보호 기능, 소프트웨어 설정 기능, 고급 진단 기능을
로옴 (ROHM)이 반도체 소자의 공명 터널 다이오드 (Resonant Tunneling DiodeRTD)를 사용한 테라헤르츠파 발진 디바이스의 제2세대 제품 개발에 성공했다.
이 제2세대 제품의 샘플은 케이블, 평가 보드를 세트로 구성된 테라헤르츠파 디바이스 평가 키트 RTD-EVK-G2로 제공된다.
제2세대 제품은 제1세대 제품과 동일한 0.5×0.5mm의 칩 사이즈이지만 고출력화가 가능한
비리튬 에너지 저장 솔루션 분야 전문업체인 ESS Tech 가 유틸리티 회사, AI 기반 데이터 센터, 중요 인프라 운영업체를 비롯해 기존 리튬 이온 기술에 대한 우수한 대안을 찾는 상업 및 산업 고객을 위해 설계된 모듈형 나트륨 이온 배터리 에너지 저장 시스템(BESS)인 ESS Bridge™를
산업 환경이 자동화 및 연결성이 향상됨에 따라, 단일 케이블을 통해 안정적인 전력과 데이터를 공급하여 산업용 애플리케이션을 구현하고 배포 및 확장성을 간소화하는 PoE(Power over Ethernet)에 대한 수요가 증가하고 있다.
이에 따라 마이크로칩 테크놀로지는 산업용 애플리케이션 및 까다로운 환경에 적합한 IEEE 802.3bt 표준을 충족하도록
UMS가 3단 광대역 전력 증폭기를 출시했다. 20~40GHz 대역에서 작동하는 2W 출력의 GaN 소자 (모델명: CHA6224-98F)는 컴팩트한 크기와 뛰어난 RF 성능을 특징으로 한다.
이 증폭기 소자는 차세대 위성 통신 , 5G 인프라, 시험 장비 및 광대역 전자전 시스템 의 까다로운 요구 사항을 충족하는 최적화된 밀리미터파 전력 솔루션을 제공한다 .
2W의 포화 출력 전력과 21dB의
Fortune Advanced Technology가 온 저항 제어 방식을 사용하는 역전류 보호 기능이 탑재된 고전압·고전류 전자 퓨즈(eFuse) FA7671/FA7671A를 출시했다.
이에 따라 포춘 어드밴스드 테크놀로지의 36V 전자 퓨즈(eFuse) 제품군은 FA7641, FA7642, FA7671, FA7671A로 시장에 출시된다. 이 칩들은 과보호 및 과전류 보호와 같은 전력선 회로 보호에 필요한
전자 설계 및 제조 서비스 분야 전문업체인 USI가 차세대 전력 솔루션용 첨단 전력 반도체 패키징 기술을 내놓았다. USI는 혁신적인 기판 및 모듈 통합 역량을 활용해 다층 ABF 기판에 실리콘 카바이드(SiC) 다이를 성공적으로 내장하고 업계 표준 전력 패키지 내에 세라믹 기판 절연과 와이어
르네사스 일렉트로닉스가 최근 출시한 650V SuperGaN 소자는 업계 최초로 공핍형(d-모드) GaN 기술을 적용한 양방향 스위치이다. 이 제품은 단일 소자에서 양극 및 음극 전류를 모두 차단할 수 있으며, DC 차단 기능도 제공한다.
단일 스테이지 태양광 마이크로인버터, AI 데이터 센터, 전기차 충전기 등을 겨냥한 고전압
STMicroelectronics가 고해상도 센싱의 새로운 기준을 제시하는 소형 직접 시간차 측정(Time-of-Flight) 3D LiDAR 올인원 모듈인 VL53L9를 출시했다.
VL53L9는 최첨단 기능을 소형의 경제적인 패키지에 담아 소형 마이크로컨트롤러(MCU) 기반의 저전력 엣지 AI 시스템에 AI 기반 출력 데이터를 제공하고, 로봇 공학, 산업 자동화, 스마트 빌딩, AR/VR,
