iDEAL Semiconductor의 SuperQ™ 200V MOSFET 포트폴리오는 업계 최고 수준의 온 저항을 제공하는 제품이다.
iS20M5R5S1T 는 업계 표준 TOLL 패키지에서 사용 가능한 200V MOSFET 중 가장 낮은 RDS (on) 값 을 제공하는 새로운 기준이다. iS20M6R3S1P는 TO-220 패키지에서 200V MOSFET 중 가장 낮은 RDS (on) 값을 제공한다. 이 두 제품은
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)가 산업 장비용 DCL54xx01A 시리즈 4채널 고속 표준 디지털 절연기로 디지털 절연기 제품군을 확장했다. 이 시리즈의 10개 제품은 SOIC16-W 패키지에 내장되어 있고 최대 작동 온도 125°C를 구현한다.
실리콘 카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 전력 소자의
최근 AD/ADAS[4]의 고도화와 차량 전장화에 따라 탑재 부품 수가 증가하면서 기판 공간의 제약이 증가하고 있다. 또한 차량 전장화에 따른 전력 수요 증가를 배경으로 48V 전원 시스템 채용이 확대되고 있어 이러한 회로에 사용되는 자동차용 MLCC에는 소형·대용량과 고내압의 양립이 중요해지고 있다.
여기에 차량 주행 시
인피니언 테크놀로지스가 최대 205°C 온도에서 연속 동작이 가능한 1300V 실리콘 카바이드(SiC) 모듈을 출시하며 전기차 인버터용 전력 모듈 기술의 새로운 이정표를 제시했다. 기존 설계는 일반적으로 최대 175°C까지 허용된다.
이번 온도 향상으로 자동차 OEM과 1차 협력업체는 기존 인버터 설계에서 더 높은 피크 및 연속
첨단 인터커넥트 및 전력 솔루션 분야의 글로벌 선도기업인 엔노비(ENNOVI)가 2026 배터리 쇼 유럽(The Battery Show Europe 2026)(5번 홀, C40 부스)에서 자사의 배터리 셀 접촉 시스템(CCS) 역량을 선보인다.
엔노비는 광범위한 전동화 애플리케이션 전반에서 모든 주요 셀 포맷을 지원하는 통합 CCS 기술 접근 방식을 시연할
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)가 차세대 AI 데이터센터의 전원 공급 시스템을 주요 용도로 하면서 재생에너지 관련 장비에도 적합한 1200V 트렌치 게이트 SiC MOSFET ‘TW007D120E’의 테스트 샘플 출하에 돌입했다.
생성형 AI의 급속한 확산으로 데이터센터의 전력 소비 급증이 시급한 과제로
인피니언 테크놀로지스의 CoolSiC™ 2300V MOSFET를 적용한 XHP™ 2 전력 모듈은 최대 1500V DC 링크 전압을 지원해 시스템 고전압화라는 업계 트렌드에 대응한다.
이 제품은 1mΩ~2mΩ의 온저항(RDS(on)) 값과 4kV 또는 6kV의 절연 전압을 제공하는 다양한 옵션으로 제공된다. XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 모듈은 풍력, 태양광,
케이-비엠에스(K-BMS)가 유지보수의 효율을 극대화하는 산업용배터리 통합 관리 솔루션 ‘도비 시스템(DOBBY SYSTEM)’을 선보였다.
https://www.youtube.com/embed/osQd9oj77Ng?ecver=1
이 ‘도비 시스템’은 전동지게차·ESS·UPS 등에 사용되는 납축전지의 보충수 공급을 자동화하고, 배터리의 건강 상태(SoH)를 실시간으로 진단하는 통합 관리 솔루션이다.
기존의 수동 보충 방식은 작업자가 배터리 수위를 일일이 확인해야 하는 번거로움과 과다 보충으로 인한
차량의 가동 부품 전동화가 계속해서 진행됨에 따라 전자식 밸브, 댐퍼 및 HVAC(난방, 환기 및 공조) 시스템의 플랩과 같은 응용장치와 그릴 셔터에서 사용하기 위한 소형 3상 브러시리스 DC 모터에 대한 수요가 증가하고 있다.
이는 부품 수를 줄이고 전자 제어 유닛(ECU)을 소형화하는 장치에 대한
인피니언 테크놀로지스가 CoolSiC™ 2300V MOSFET를 적용한 XHP™ 2 전력 모듈을 출시했다. 새로운 2300V 디바이스는 최대 1500V DC 링크 전압을 지원해 시스템 고전압화라는 업계 트렌드에 대응한다.
이 신제품은 1mΩ~2mΩ의 온저항(RDS(on)) 값과 4kV 또는 6kV의 절연 전압을 제공하는 다양한 옵션으로 제공된다. 실리콘 카바이드(SiC) 기술을 적용해
