언더컷 최소화·Au 범프 및 딥홀 공정 대응으로 WBG 제조 공정 혁신 ACM 리서치가 화합물 반도체용 전기화학 디플레이팅 장비 ‘Ultra ECDP’를 공개했다. 이 장비는 금(Au) 범프와 박막, 딥홀(Deep-hole) 식각 과정에서 발생하는 비균일 식각 문제를 해결하기 위해 설계됐다. 정밀 제어가 가능한 다중 음극(multi-anode) 전기화학 기술과
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ST, 범용 하프 브리지 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신
20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다. STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다. STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력
