미쓰비시전기의 4.5kV/1,200A XB 시리즈 고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(HVIGBT) 제품군에 새로이 추가된 표준 절연(6.0kVrms) 및 고절연(10.2kVrms) 모듈은 높은 내습성을 제공하여 철도 차량과 같이 옥외를 포함한 다양한 환경에서 작동하는 대형 산업 장비에 사용되는 인버터의 효율성과 신뢰성을 향상시킨다. 이 고용량 전력 반도체는 미쓰비시전기의 독자적인 RFC(Relaxed
Mitsubishi Electric ships samples of four Trench SiC-MOSFET bare dies for power semiconductors
Mitsubishi Electric will begin shipping samples of four new trench1 silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC-MOSFET) bare dies (chips not encased in protective housing) designed for use in power electronics equipment, such as electric vehicle (EV) traction inverters,2 onboard chargers,3 and power supply systems for