리튬이온 배터리의 안전성과 에너지 밀도 한계를 극복할 '게임 체인저' 전고체 배터리(Solid-State Battery)가 실험실을 넘어 양산 단계로 진입하고 있다. 업계는 기존 액체 전해질을 고체로 대체한 이 차세대 기술이 2027~2028년을 기점으로 본격적인 상용화 궤도에 오를 것으로 전망한다. 이에 전고체 배터리의 기술적 특성과 주요 기업의
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ST, 범용 하프 브리지 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신
20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다. STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다. STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력
