리튬이온의 한계를 넘어 모빌리티의 ‘뉴 노멀’을 설계하다 전기차 시대의 본격적인 도래와 함께 배터리는 단순한 전력 저장 장치를 넘어 모빌리티 혁명의 핵심 인프라로 자리 잡았다. 그러나 현재 주류인 리튬이온 배터리(Li-ion)는 안전성, 에너지 밀도, 충전 시간 등에서 근본적인 한계에 직면해 있다. 전고체 배터리(Solid-State Battery)는 이러한
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ST, 범용 하프 브리지 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신
20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다. STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다. STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력
