Epix 로직·HBM 수요가 견인… 생산능력 확충 경쟁 본격화 글로벌 반도체 공급망을 대표하는 SEMI는 2025년 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년 대비 5.4% 증가한 128억 2400만 제곱인치에 이를 것으로 내다봤다. 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM), 데이터센터용 프로세서 수요가 시장 성장을 주도하며, 2028년에는 154억 8500만 제곱인치로 사상 최대치를
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[기고] 통합 TOLL 패키지형 GaN 소자를 이용한 전원 공급 장치 설계 혁신 방안
“아태 시장용 전력 반도체 동적 신뢰성 검증 연구소를 설립한다”
Paul Yang, 스파이록스 CEO (사진의 오른쪽) 실리콘 칩이 반도체 산업에서 여전히 지배적인 위치를 차지하고 있지만 칩 설계 아키텍처의 기초로 화합물 반도체 같은 와이드 밴드갭(wide-bandgap) 소재를 사용하는 고성능 제품이 점점 늘어나는 추세다. SiC 전력 소자의 자동차 전자 시장은 2026년까지 약 40억 달러 규모로 성장할 것으로 예상된다. 전기 자동차와 재생 에너지 응용 분야 수요에 힘입어 전력 반도체 시장은 급성장하고 있다. 기존의 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 실리콘 칩과 비교했을 때 실리콘 카바이드(SiC)는 고온과 고전압 조건 모두에서 더 높은 효율성과 더 낮은 에너지 소비를 자랑한다. 전력 반도체 재료가 발전함에 따라 자동차 전자 검증에 대한 새로운 표준이 등장하고 있다. ECPE의 AQG 324 산업 표준은 자동차 전자 시장 진출에 반드시 필요한 인증으로 자리 잡았다. 이에 따라 반도체 장비 테스트, 패키징, 검사 솔루션 제공업체인 스파이록스가 아시아 태평양 지역에 최초의 전력 반도체 동적 신뢰성 검증 연구소를 설립한다. 스파이록스의 유통
작년 4사분기에 900개의 새로운 SiC 특허가 출원돼
온세미, 코보의 실리콘 카바이드 JFET 기술 인수
Navitas delivers more power for AI & EV with sxtended GaNSafe™ portfolio
Navitas Semiconductor, the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, has announced that its high-power GaNSafe family is now available in a TOLT (Transistor Outline Leaded Top-side cooling) package. The
Soitec’s SmartSiC™ technology for mobility
Soitec's SmartSiC™ technology for mobility sets an additional standard in power electronics to drive the electrification, autonomy, sustainability, power- and cost-efficiency of electric vehicles & industrial applications. The Auto SmartSiC™ product line enables to reach new levels of ultra high conductivity and performances of devices
