Tag: SiC

콜드 크랭킹 극복을 위한 5가지 혁신 기술

by 이철민 기자 -
저온 환경에서 자동차 시동 시 발생하는 전압 급강하 현상인 콜드 크랭킹 문제를 해결하기 위한 다섯 가지 핵심 기술

배터리부터 반도체까지, 자동차의 심장을 깨우는 전력전자의 첨단 무기들 자동차 전력 설계자들에게 겨울은 가혹한 계절이다. 기온이 떨어지면 배터리 내부 저항은 치솟고, 엔진 오일은 끈적해져 평소보다 훨씬 큰 힘이 필요하다. 이때 발생하는 전압 급강하 현상인 콜드 크랭킹은 차량 내 정밀 전자부품을 위협하는 가장 큰 요소다.

[PE 테크] AI에 국적을 입히다… ‘소버린 AI’ 시대, 전력 반도체가 승부처인 이유

by PEMK 매거진 -
지정학적 리스크와 데이터 거주성 요건 강화로 인해 2027년까지 소버린 AI 전환율이 35%로 급증할 것으로 보이며, 이에 따라 국가별 데이터센터 인프라 및 로컬 LLM 오케스트레이션 전략이 핵심 과제로 부상하고 있다.

가트너 "2027년까지 국가 35% AI 독립", GDP 1% 쏟는 '인프라 전쟁' 발발 전기 먹는 하마 AI 데이터센터, SiC·GaN 반도체로 '에너지 다이어트' 사활 지정학적 리스크와 데이터 거주성 요건 강화로 인해 2027년까지 소버린 AI 전환율이 35%로 급증할 것으로 보이며, 이에 따라 국가별 데이터센터 인프라 및

“전기 1%를 아껴라”… 기후 위기 시대, ‘보이지 않는 영웅’ 전력반도체의 재발견

by 이철민 기자 -
Siemens opens Cyber Security Operation Centers

실리콘(Si)의 한계를 넘는 SiC·GaN의 등장… 데이터센터와 전기차 에너지 효율의 핵심 열쇠 우리가 쓰는 전기는 발전소에서 집이나 공장까지 오는 동안 수많은 변신을 한다. 교류(AC)를 직류(DC)로 바꾸거나, 전압을 높이고 낮춰야 한다. 이때 전기의 흐름을 제어하고 변환하는 역할을 하는 것이 바로 전력반도체(Power Semiconductor)다. 두뇌 역할을 하는

SiC MOSFET이 IGBT의 킬러가 될 수 있을까? 

by PEMK 매거진 -
Unikeyic

SiC MOSFET은 둘 다 서로 다른 기술적 접근 방식과 비용 구조 사이의 절충안을 보여준다. 근본적으로 이 두 기술의 경쟁은 최고의 성능과 최적의 비용 대비 성능 사이의 전략적 선택으로 귀결된다. IGBT를 SiC MOSFET으로 교체하는 이유는 무엇일까? SiC MOSFET은 대표적인 광대역 밴드갭 반도체로서 실리콘

실리콘 웨이퍼 시장, AI 반도체 수요에 힘입어 2028년 사상 최대치 전망

by 이철민 기자 -
삼성반도체 평택캠퍼스

Epix 로직·HBM 수요가 견인… 생산능력 확충 경쟁 본격화 글로벌 반도체 공급망을 대표하는 SEMI는 2025년 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년 대비 5.4% 증가한 128억 2400만 제곱인치에 이를 것으로 내다봤다. 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM), 데이터센터용 프로세서 수요가 시장 성장을 주도하며, 2028년에는 154억 8500만 제곱인치로 사상 최대치를

[기고] 통합 TOLL 패키지형 GaN 소자를 이용한 전원 공급 장치 설계 혁신 방안

by PEMK 매거진 -
integrated TOLL-packaged GaN devices

글_ 스리잔 아쇼크(Srijan Ashok), 텍사스인스트루먼트(Texas Instruments) 최신 전원 공급 장치 설계에는 고효율과 높은 전력 밀도가 필수이다. 그래서 설계자는 다양한 전력 변환 토폴로지에서 GaN(질화 갈륨) 장치를 사용하고 있다. GaN을 이용하면 고주파 스위칭이 가능하기 때문에 패시브 크기를 줄여주고, 나아가 밀도를 높여 준다. 또한 GaN은 실리콘이나 SiC(실리콘

“아태 시장용 전력 반도체 동적 신뢰성 검증 연구소를 설립한다”

by 이철민 기자 -

Paul Yang, 스파이록스 CEO (사진의 오른쪽) 실리콘 칩이 반도체 산업에서 여전히 지배적인 위치를 차지하고 있지만 칩 설계 아키텍처의 기초로 화합물 반도체 같은 와이드 밴드갭(wide-bandgap) 소재를 사용하는 고성능 제품이 점점 늘어나는 추세다. SiC 전력 소자의 자동차 전자 시장은 2026년까지 약 40억 달러 규모로 성장할 것으로 예상된다. 전기 자동차와 재생 에너지 응용 분야 수요에 힘입어 전력 반도체 시장은 급성장하고 있다. 기존의 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 실리콘 칩과 비교했을 때 실리콘 카바이드(SiC)는 고온과 고전압 조건 모두에서 더 높은 효율성과 더 낮은 에너지 소비를 자랑한다. 전력 반도체 재료가 발전함에 따라 자동차 전자 검증에 대한 새로운 표준이 등장하고 있다. ECPE의 AQG 324 산업 표준은 자동차 전자 시장 진출에 반드시 필요한 인증으로 자리 잡았다. 이에 따라 반도체 장비 테스트, 패키징, 검사 솔루션 제공업체인 스파이록스가 아시아 태평양 지역에 최초의 전력 반도체 동적 신뢰성 검증 연구소를 설립한다. 스파이록스의 유통

작년 4사분기에 900개의 새로운 SiC 특허가 출원돼

by Hordon Kim -
KnowMade Patent Monitor

특허분석기관인 KnowMade는 작년 4사분기에 SiC와 관련된 900개의 새로운 특허가 출원되었으며 400개의 특허가 승인되었다고 발표했다. 이 기간 동안 100개 이상의 특허가 만료되거나 포기되었고 7개의 주목할 만한 특허가 이전되었다. 보고서에 의하면 이 기간 동안 미국에서는 새로운 IP 소송이 없었고 유럽에서는 특허 반대가 없었다. 주목할 만한

온세미, 코보의 실리콘 카바이드 JFET 기술 인수

by PEMK 매거진 -
Onsemi new name and logo

지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미(ONsemi)는 코보(Qorvo)로부터 유나이티드 실리콘 카바이드(United Silicon Carbide) 자회사를 포함한 실리콘 카바이드 접합 전계 효과 트랜지스터(Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor, 이하 SiC JFET) 기술 사업을 1억 1,500만 달러에 인수하는 계약을 체결했다고 발표했다. 이번 인수를 통해 온세미는