Author: 오승모 기자

PEMK(파워일렉트로닉스)와 아이씨엔매거진을 담당하고 있는 오승모 편집장입니다. 공유에너지, 공유경제 사회를 추구합니다. oseam@icnweb.co.kr

ST마이크로일렉트로닉스, 컨슈머 및 자동차용 Qi 인증 충전기를 위한 보안 솔루션 제공

by 오승모 기자 -

Qi 인증 충전기의 정품 인증으로 무선충전 시장 및 사용자 기기 보호하는 ST의 보안 전문기술 안전한 ST 공장에서 Qi 충전기 인증서 및 보안키가 로드된 STSAFE 보안 소자(Secure Elements) 다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 Qi 인증 충전기의 정품 인증을 지원하는

넥스페리아, 웨일스의 뉴포트 팹라인 인수해 자동차용 MOSFET, IGBT, 아날로그 및 복합 반도체 제품 생산 확대

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핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 뉴포트 웨이퍼 팹(Newport Wafer Fab: NWF)을 인수하는 거래를 완료해 글로벌 생산 능력을 높이기 위한 전략을 강화한다. 이번 인수를 통해 넥스페리아는 영국 웨일스에 있는 반도체 생산 시설의 100% 소유권을 확보했다. 넥스페리아 뉴포트는 뉴포트 및 인근 지역의 현재 인력을 승계해

ST마이크로일렉트로닉스, 높은 집적도와 유연성 갖춘 자동차용 LED 드라이버 출시

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다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 DC-DC 컨버터를 통합한 단일칩 자동차용 LED 드라이버인 ALED6000을 출시했다. 이 솔루션은 낮은 부품원가(BoM)로 설계를 유연하게 구현하고, 차량의 전기적 조건이 변동해도 조도를 일관되게 유지하도록 해준다. ALED6000은 주간 주행등, 전조등, 후미등, 정지등, 방향 지시등과

인피니언, 시스템 신뢰성을 향상시키는 TO-247-3-HCC 패키지 TRENCHSTOP™ 5 WR6 제품군 출시

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인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 새로운 650V TRENCHSTOP™ 5 WR6 제품군을 출시한다고 밝혔다. 이 제품군은 TO-247-3-HCC 패키지를 적용하고 20A, 30A, 40A, 50A, 60A, 70A 전류 정격의 다양한 제품을 제공한다. 650V TRENCHSTOP™ 5 WR6 제품군은 인피니언의 이전 세대 제품인 TRENCHSTOP 5 WR5와 HighSpeed

로옴, 저ON 저항 실현한 최신 세대 듀얼 MOSFET 개발

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산업기기 및 기지국의 모터 구동에 최적인 40V와 60V 내압의 12개 제품 라인업 로옴 (ROHM)은 공장자동화(FA) 기기와 같은 산업기기 및 기지국 (냉각용 팬)에 탑재되는 모터 구동에 최적이며, 24V 입력에 대응하는 ±40V / ±60V 내압의 MOSFET를 2개 탑재한 듀얼 제품 'QH8Mx5 / SH8Mx5 시리즈 (Nch+Pch)'를

넥스페리아, 업계에서 가장 얇고 작은 표준 로직 DHXQFN 패키지를 14, 16, 20, 24핀 타입으로 출시

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작은 폼 팩터 시스템에 많은 로직 기능을 포함시키는 패키지 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)가 표준형 로직 소자에 적용되는 업계 최소, 최박형 14,16, 20 및 24핀 패키지를 출시했다. 이들 중 16핀 DHXQFN 패키지는 업계 표준 DQFN16 리드없는 소자보다 크기가 45% 작다. 이 패키지는

넥스페리아, 맨체스터 8인치 웨이퍼 라인에서 Qrr 성능지수의 80 V/100 V MOSFET 생산 개시

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핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 맨체스터의 새로운 8인치 팹 라인에서 자사의 최신 NexPower 실리콘 기술을 활용해 낮은 온 저항값(RDS(on)), 낮은 역 복구 전하량 (Qrr) 80 V 및 100 V MOSFET을 생산하게 된다고 발표했다. 즉시 생산이 확대될 이 새로운 웨이퍼 라인에서 공급되는 PSMN3R9-100YSF (100 V)

넥스페리아, 반도체 생산 확대에 내년까지 7억 달러 투자

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핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)가 유럽의 웨이퍼 팹 라인, 아시아의 반도체 조립 공장 및 글로벌 연구개발 사이트를 대상으로 향후 12-15개월 동안 7억 달러를 투자하는 대대적인 성장 전략을 발표했다. 넥스페리아는 이 새로운 투자를 통해 질화 갈륨 (GaN) 기반의 와이드 밴드 갭 반도체 및

넥스페리아의 Low RDS(on) 40 V MOSFET, 자동차 및 산업용 애플리케이션에 최고의 전력 밀도를 제공해

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핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 자동차 (제품명: BUK7S0R5-40H) 및 산업용 (제품명: PSMNR55-40SSH) 애플리케이션에 적합한0.55 mΩ RDS (on) 40 V 파워 MOSFET을 출시했다. 이 소자는 넥스페리아가 지금까지 생산한 제품들 중 가장 낮은 RDS(on) 40V 용으로서 기존의 D2PAK 소자보다 50배 이상 큰 전력 밀도를 제공한다. 이

자이스, 반도체 패키지 불량 분석(FA) 속도 수십 배 향상

by 오승모 기자 -

자이스 크로스빔 레이저, 펨토세컨드 레이저와 갈륨이온 FIB 및 전계방사형(FE) SEM을 단일 툴에 통합 자이스(ZEISS)가 반도체 패키지 작업의 패키지 불량 분석(FA) 및 공정 최적화 속도를 종전보다 수십 배 더 빠르게 향상시키는 새로운 자이스 크로스빔 레이저(ZEISS Crossbeam Laser)를 출시했다. 이 제품은 자이스 FIB-SEM(focused ion beam-scanning electron microscope) 솔루션의