Design Guide

The latest STDRIVEG610 and STDRIVEG611 give designers two options to manage GaN devices in power conversion and motion applications for greater efficiency, power density and ruggedness in consumer and industrial applications. The STDRIVEG610 addresses applications requiring an extremely fast 300ns start-up time which is an important parameter

레이더는 군사 감시, 항공 교통 관제, 우주 비행, 자동차 안전을 비롯한 수많은 응용 분야에서 필수품이 되었습니다. 설계자에게 가장 까다로운 상황 중에는 반환 신호가 매우 약하고 주변 및 회로 잡음으로 신호대 잡음비(SNR)가 떨어지며 '펄스 드룹'이 문제가 되는 장거리 레이더의 경우가 있습니다. 질화 갈륨(GaN) 기반의

노트북 컴퓨터, 휴대폰, 휴대용 무선 단말기, 하이브리드 전기 자동차/순수 전기 자동차(HEV/EV) 등 저전력 및 고전력 응용 분야 모두에서 리튬 이온(Li-ion) 배터리에 대한 수요가 높아지고 있다. 이에 따라 리튬 이온 배터리는 정확하고 신뢰할 수 있는 테스트 시스템을 필요로 한다. 그림 1의 배터리 시스템은 충전

실리콘 카바이드(SiC)는 실리콘(Si)에 비해 고속 배터리 충전기, 광발전(PV) 배터리 컨버터, 트랙션 인버터와 같은 응용 제품의 쇼트키 다이오드에 특히 적합한 많은 이점을 제공합니다. 하지만 여전히 설계자는 효율성을 향상시켜야 한다는 과제를 안고 있습니다. SiC 장치를 사용하여 이를 수행하는 두 가지 방법은 누설 전류와 열 저항으로

연속 전도 모드(CCM)를 사용하는 역률 보정(PFC)과 같은 고주파 스위치 모드 회로에는 스위칭 손실이 낮은 다이오드가 필요하다. CCM 모드의 기존 실리콘(Si) 다이오드의 경우, 이러한 스위칭 손실은 턴오프 시 다이오드 접합부에 저장된 전하로 인한 다이오드의 역회복 전류로 인해 발생한다. 이러한 손실을 최소화하려면 일반적으로 평균