빛 에너지 수확: 연결된 세상을 위한 에너지 공급

오늘날과 같은 초연결 사회에서 인터넷은 정보가 끊김 없이 흐르는 현실을 만들어냈다. 방에 들어가면 불이 켜지고 스마트워치는 사용자의 건강 상태를 알려주며 반지는 수면의 질을 추적한다. 이러한 일상의 순간들이 오늘날 우리가 알고 있는 사물 인터넷(IoT)을 형성해 왔는데 이이러한 추세는 앞으로도 계속될 것이다. 시장조사기관인 IoT Analytics의

Mangrove, 배터리 등급 리듐 농축물 생산에 박차

캐나다의 Mangrove Lithium이 리튬 생산업체 Elevra Lithium으로부터 스포듐민 농축물을 받아 배터리 등급 리듐 생산에 나선다. 양사간의 최종 계약은 Mangrove의 2027년 6월 이전에 리튬 전환 시설 건설에 대한 투자 확정을 조건으로 한다. 이에 따라 Elevra는 연간 최대 144,000톤의 스포듐민 농축물을 Mangrove에 공급할 예정이다. 공급은

[PCIM Europe 2026] Navitas’s isolated through-hole package for SiC MOSFETs features direct-cooled thermal management

Navitas Semiconductor launched its new UHV‑TO‑247‑4‑ISO package, setting a new benchmark for high‑performance discrete power devices. Featuring over 12 mm pin-to-pin creepage and greater than 6000 V integrated isolation, the package is purpose‑built for 1200 V to 3300 V GeneSiC SiC MOSFETs, delivering module‑like

미쓰비시 전기, 최신 전력 반도체 채택 가속화를 위한 데이터 제공 서비스 출시

미쓰비시 전기가 전력 변환 시스템(PCS)에 사용되는 독점 프로토타입 인버터의 설계 및 검증 데이터를 6월 28일에 무료 서비스를 시작한다. 미쓰비시 전기의 프로토타입 인버터는 최신 8세대 IGBT에 내장된 회사의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 모듈을 통합하고 있다. 이 서비스는 고객들이 태양광 및 기타 재생 에너지 응용

로옴, 오토모티브 48V 시스템용 MOSFET 「AG16xFNxx 시리즈」 개발!

자동차기기 분야에서는 하이엔드 차종을 중심으로 전력 수요가 증가함에 따라, 기존의 12V 시스템을 대신하는 고효율 전력 공급의 수단으로서 48V 시스템이 주목을 받고 있다. 2030년 전후로 보급이 예상되는 가운데, 48V 시스템에 대응하는 MOSFET에는 일반적인 100V 내압 제품보다 한층 더 손실 저감이 가능한 80V 내압

인피니언 CoolGaN™ BDS 40V G3 제품군, 휴대용 전원 설계에서 최대 82% 풋프린트 감소

인피니언 테크놀로지스가 CoolGaN™ BDS 40V G3 양방향 스위치 제품군에 IGK048B041S와 IGK120B041S를 추가했다. 신제품은 PCB 풋프린트를 최대 82%까지 줄이고, 부품 수는 절반으로 감소시킨다. 스마트폰, 노트북, 웨어러블 등 공간 제약이 심한 디바이스를 설계하는 엔지니어에게 이는 매우 중요하고 실질적인 개선이다. 소형 컨슈머 디바이스를 위해 개발된

DigiKey, 2026 EDS Leadership Summit에서 제조업체 파트너들로부터 29개 부문 수상

DigiKey가 유통, 성장 및 성과 분야에서의 우수성을 인정받아 2026 EDS Leadership Summit에서 제조업체 파트너들로부터 29개 상을 수상했다. 전자 부품 및 자동화 제품의 유통 분야를 선도하는 글로벌 기업인 DigiKey는 5월 18일 ~ 22일, 라스베가스에서 열린 2026 EDS Leadership Summit에서 제조업체 파트너들로부터 29개 상을 수상했다고

800V+ 전기차 및 E-모빌리티 플랫폼용 실리콘 카바이드 DC-Link 기술

800V+ 전력 아키텍처로의 전환은 차세대 전기차 성능, 충전 속도, 전기화된 항공 시스템을 실현할 것으로 기대되었으나 엔지니어들은 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET이 요구하는 고전류, 열 부하, 스위칭 속도, 전압 스트레스에 맞지 않은 DC 링크 커패시터 등의 난제에 직면해있었다. 커패시터 용량 축소, DC 링크 과대화, 냉각 인프라