핵심 반도체 전문업체 넥스페리아(Nexperia)가 업계 최고의 전력 밀도와 탁월한 성능을 제공하는 구리 클립 CCPAK1212 패키지의 새로운 80V 및 100V 전력 MOSFET제품군 16종을 출시했다.
이 혁신적인 구리 클립 설계는 높은 전류 전도, 감소된 기생 인덕턴스 및 우수한 열 성능을 제공한다. 이러한 특징으로 인해 이
로옴 (ROHM)이 기지국 · 서버용 전원 및 산업기기 · 민생기기용 모터 등 24V / 36V / 48V 계통의 전원으로 동작하는 애플리케이션의 구동에 최적인 Nch MOSFET 「RS6xxxxBx / RH6xxxxBx 시리즈」 13개 제품 (40V / 60V / 80V / 100V / 150V)의 개발에 이어 대량
새로운 1200V 디바이스, 업계 최고 성능의 전도 및 스위칭 제공
온세미가 업계 최고 수준의 성능으로 전도(conduction) 및 스위칭 손실을 최소화하는 새로운 초고효율 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistors, 이하 IGBT)를 발표했다.
해당 디바이스는 고속 스위칭 애플리케이션의 효율성을 향상시키기 위해 주로 태양광 인버터, 무정전
마우저 일렉트로닉스는 구매 전문가와 엔지니어에게 자동차 솔루션의 차세대를 선도하는 데 필요한 리소스와 신제품을 제공한다.
해당 리소스에는 운전자 모니터링 시스템이 AI와 센서 퓨전을 사용하여 차량 안전을 개선하는 방법과 차량 텔레매틱스를 향상시키는 5G 차량 간 통신(V2V) 및 차량과 도로 인프라 간 통신(V2I) 네트워크에 대한 탐구
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 모터 제어를 위한 완벽한 시스템 솔루션인 MOTIX™ 모터 제어 키트를 제공한다고 밝혔다.
사전에 조립된 키트는 시장에서 검증된 칩셋과 샘플 소프트웨어 및 BLDC 모터를 결합하여 파워 서플라이만 연결하면 되므로, 몇 초 만에 모터를 회전시킬 수 있다. 따라서 모터 제어 키트를
인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 시장 출시 시간을 크게 단축하는 사전 테스트를 거친 산업용 레퍼런스 디자인을 출시한다고 밝혔다.
이 레퍼런스 디자인은 22kW의 정격 전력을 제공하고 380~480V 3상 그리드에서 직접 동작할 수 있는 범용 모터 드라이브이다. 맞춤화를 위해 레퍼런스 디자인을 완전히 재사용할 수 있으며,
인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 IMD110 SmartDriver 시리즈를 출시한다고 밝혔다. 새로운 스마트 모터 컨트롤러 제품군은 컴팩트한 패키지에 iMOTION™ MCE (Motion Control Engine, 모션 제어 엔진)와 3상 게이트 드라이버를 통합했다.
이 게이트 드라이버는 고유의 SOI (silicon-on-insulator) 기술을 기반으로 하며, 가변속 드라이브의 다양한 MOSFET과 IGBT를
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 이하 ‘도시바’)이 각각 웨터블 플랭크 VQFN 패키지와 파워 QFN 패키지로 구성한 브러시드 DC 모터 드라이버 IC 2종(TB9054FTG/TB9053FTG)을 출시했다. 모두 전자식 스로틀(throttle)을 포함한 자동차 애플리케이션용으로 적합한 제품이다. TB9054FTG는 이달 샘플링을 시작해 2022년
인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 새로운 IMC300 모터 컨트롤러 시리즈를 출시한다. IMC300은 iMOTION™ MCE (Motion Control Engine, 모션 제어 엔진)와 Arm® Cortex®-M0 코어 기반의 마이크로컨트롤러를 결합했다. 이는 높은 애플리케이션 유연성이 필요한 가변속 드라이브에 적합하다.
IMC300 제품군은 MCE 2.0을 구현하여 즉시 사용 가능한
인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 자사의 SOI (silicon on insulator) 기술 기반 650V 하프 브리지 게이트 드라이버를 EiceDRIVER™ 제품군에 추가한다고 밝혔다.
새로운 제품은 네거티브 트랜션트 전압 내성이 뛰어나고, 부트스트랩 다이오드를 모노리딕 방식으로 통합하였으며, 래치업 내성이 뛰어나다는 것이 특징이다. 따라서 MOSFET과 IGBT 기반 인버터
