매우 빠른 스위칭 속도로 동작하는 GaN 트랜지스터를 측정하기 위해서는탁월한 측정 기술뿐만 아니라 고속 파형의 중요한 세부 사항을 포착할 수 있는뛰어난 측정 기법이 필요하다. 이 애플리케이션 노트는 고성능 GaN 트랜지스터를 정확하게평가할 수 있는 측정 기법과 사용자의 요구사항에 부합하는 측정 장비 활용 방안에 중점을두고
Author: PEMK 매거진
PEMK(파워일렉트로닉스 매거진 코리아) 에디터입니다.
전기차 충전기에도 SiC MOSFET 다이오드가…
온세미, 펜실베이니아 주립대와 미국 SiC연구 위한 MOU 체결
어플라이드 머티어리얼즈, 회계연도 2023년 2분기 실적 발표
Infineon’s CoolSiC™ XHP™ 2 high-power modules enable energy-efficient electrified trains to promote decarbonization
Infineon's CoolSiC™ XHP™ 2 high-power module To meet global climate targets, transportation must shift to more environmentally friendly vehicles such as energy-efficient electrified trains. Trains, however, have demanding operating profiles with frequent acceleration and braking, while being expected to operate reliably over a
보쉬, 미국내 SiC 칩 제조를 위해 TSI 세미컨턱터 인수 나선다
Bosch acquires TSI Semiconductors to respond to growing demand for SiC chips for EVs
Plans to invest 1.5 billion USD in strategically important semiconductor business for electromobility Third pillar for semiconductor business: following Reutlingen and Dresden in Germany, Bosch will in the future also make chips in Roseville, California. Bosch is expanding its semiconductor business with silicon carbide
