단일벽 탄소나노튜브 전도성 페이스트, EV 리튬 배터리에 적용된다

리튬 이온 배터리에 대한 전 세계 수요는 전기차, 드론, EVTOL(전기 수직 이착륙 항공기)을 포함한 소비자 애플리케이션뿐 아니라 AI 서버 백업 전원 장치(BBU), 재생에너지 저장 시스템(ESS), 자동화 로봇 공학을 비롯한 산업 분야에서도 급증하고 있다. 이러한 성장으로 배터리 에너지 밀도와 사이클 수명을 크게 향상할

티고 에너지, SMA와 태양광 특허 침해 소송 합의

지능형 태양광 및 에너지 소프트웨어 솔루션 공급업체인 티고 에너지가 자사의 지식재산권을 SMA 솔라 테크놀로지 및 SMA 솔라 테크놀로지 아메리카가 침해한 사안과 관련해 진행된 소송에서 SMA와 다년간의 합의에 도달했다고 발표했다. 이번 합의로 티고가 SMA의 특정 특허 침해를 주장하며 2022년 7월 11일에 제기한 사건번호 1:22-cv-00915(미국

가연성 가스 앞에서도 끄떡없는 ‘궁극의 효율’… ABB, 희토류 뺀 세계 최초 IE6 방폭모터 출격

IE6 SynRM

화학·정유 공장 등 폭발 위험 구역에 'IE6(초고효율)' 기술 세계 최초 적용희토류 없는 SynRM 기술로 기존 IE3 유도 모터 대비 에너지 손실 최대 60% 싹둑 ABB가 세계 최초로 방폭 구역에서 사용 가능한 IE6 등급의 초고효율 안전증 모터(IE6 SynRM Increased Safety Motor)를 출시했다 (이미지. abb) 석유화학

로옴, 전동차 온보도 차저용 고밀도 SiC 모듈 생산 개시

로옴이 xEV (전동차)용 온보드 차저 (이하, OBC)의 PFC 및 LLC 컨버터에 최적인 4in1 및 6in1 구성의 SiC 몰드 타입 모듈 'HSDIP20'의 대량 생산을 시작했다. HSDIP20은 750V 내압으로 6개 제품 (BSTxxx1P4K01), 1,200V 내압으로 7개 제품 (BSTxxx2P4K01)을 라인업으로 구비했다. 이 제품은 다양한 하이파워 어플리케이션의

디지키, 오픈 소스 EDA 개발 지원을 위해 KiCad 후원

유통업체인 DigiKey가 엔지니어링 커뮤니티를 위한 오픈 소스 도구의 발전을 위한 공동의 노력을 강화하기 위해 오픈 소스 전자 설계 자동화(EDA) 제품군인 KiCad를 지속적으로 후원한다. KiCad의 사명은 전자 설계 전문가를 위한 최상의 교차 플랫폼 전자 설계 응용 프로그램을 제공하는 것이다. KiCad는 엔지니어, 학생 및 전문가가

넥스페리아, D2PAK-7 패키징의 업계 최고 자동차 인증 1200V SiC MOSFET 출시

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 오늘 30, 40, 60mΩ의 RDS(on) 값을 가진 매우 효율적이고 견고한 자동차 인증 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 발표했다. 업계 최고의 FoM(Figure-of-Merit)을 제공하는 이 소자들 (모델명: NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q)는 이전에 산업용 등급이었지만 AEC-Q101 인증을 받은 제품들이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV)의 온보드

피커링, 업계 최초 20kV 스탠드오프 릴레이로 고전압 스위칭의 새로운 기준 제시해

Pickering이 기존의 인기 있는 시리즈 63 리드 릴레이 제품군의 스위치 접점에 20kV 스탠드오프 기능을 확장하여 업계의 새로운 기준을 제시했다. 이는 다른 릴레이 제조업체가 제공하지 않는 최초의 기능이다. 지난 달 중국 상하이에서 개최되었던 일렉트로니카 차이나 2025에서 공개한 이 새로운 릴레이는 최대 20kV 스탠드오프 및

급속 충전에 최적인 소형 MOSFET

로옴의 MOSFET AW2K21은 2.0mm×2.0mm 패키지 사이즈로 업계 최고의 낮은 ON 저항1 2.0mΩ (Typ.)의 Nch 30V 내압 공통 소스 구성을 특징으로 한다. 이 신제품은 로옴의 독자적인 구조로 셀의 집적도를 향상시켜 칩 면적당 ON 저항을 저감했다. 또한, 1개의 소자에 2개의 MOSFET를 내장하여 충전 회로에서 요구되는

CGD, 100kW 이상 전기차 인버터 시장에 GaN 솔루션 제공해

에너지 효율적인 GaN 기반 전력 솔루션 업체인 CGD(Cambridge GaN Devices)가 시장 규모 100억 달러를 넘어서는 100kW 이상의 전기차 파워트레인 애플리케이션을 위한 ICeGaN® GaN(Gallium Nitride) 기술 기반의 새로운 솔루션을 공개했다. 이 Combo ICeGaN®은 스마트 ICeGaN HEMT IC와 IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)를 단일 모듈이나 지능형 전력

[PCIM Europe 2025] Fraunhofer IAF, 양방향 GaN 스위치 공개

Fraunhofer IAF가 프리휠링 다이오드를 내장한 1200V 전압 등급에 적합한 새로운 GaN 모노리식 양방향 스위치(MBDS) 에 대한 논문을 발표했다. 1220V 소자는 프라운호퍼 IAF의 GaN-on-insulator 기술을 사용하여 제작되었다. MBDS는 전압을 차단하고 전류를 양방향으로 전도하여 칩 공간을 절약하고 공핍 영역이 하나만 존재하므로 전도 손실을 줄여준다.