전기차 트랙션 인버터 제어 레퍼런스 디자인 

by Hordon Kim -

NXP의 EV-INVERTERGEN3 3세대 자동차용 EV 전력 인버터 제어 레퍼런스 디자인은 800V 실리콘 카바이드(SiC) 기반 트랙션 인버터에 최적화된 아키텍처를 갖추고 있으며 아래와 같은 특징을 제공한다. 처리 성능이 향상된 S32K39 MCU로 마이그레이션하여 저지연 제어 루프를 실행 FS65 SBC에서 FS26 SBC로의 마이그레이션: 저전력 기능을 갖춘 최신 세대

Arrow와 CoreStaff Online, 로옴의 SiC MOSFET의 상면 방열 패키지 제품 판매해

by Hordon Kim -

xEV의 충전 속도 향상 및 주행 거리 연장을 위해 메인 인버터뿐만 아니라 OBC나 전동 컴프레서와 같은 전력 변환 회로에도 SiC 소자의 채용이 확대되고 있다. 또한, 산업기기 분야에서도 고성능 서버 전원 및 PV 인버터 등의 고효율 동작에 기여하는 SiC 소자스의 탑재가 가속화되는 추세이다. 기존의

한화큐셀, 미국 애리조나에 초대형 에너지 복합단지 건설

by 오승모 기자 -

한화솔루션 큐셀부문이 미국 사상 최대 규모 재생에너지 프로젝트 중 하나인 ‘아틀라스 에너지 파크(Atlas Energy Park)’의 EPC(설계·조달·건설)를 수행하고 이 중 일부 자산의 매각을 최근 완료했다. 애리조나주 라 파즈(La Paz) 카운티에 위치한 아틀라스 에너지 파크는 14개의 태양광 및 ESS 프로젝트로 이루어진 복합 에너지 단지로, 2028년까지

빛의 속도를 자유자재로 늦추는 프로그래머블 광집적회로가 국내에서 개발돼

by 오윤경 기자 -

서울대학교 공과대학이 전기정보공학부 박남규 교수·유선규 교수 연구팀이 서울시립대학교 전자전기컴퓨터공학부 박현희 교수와의 공동연구를 통해 빛의 속도를 자유롭게 늦출 수 있는 광집적회로를 개발했다. 최근 생성형 AI와 대규모 AI 모델의 발전으로 연산량이 급증하면서 기존 전자식 반도체는 높은 전력 소모와 낮은 데이터 전송 속도의 한계를 드러내고 있다.

AI 서버 및 EV 충전기용 600V SJ MOSFET 

by Hordon Kim -

매그나칩반도체의 AI 서버 및 전기차 충전기(EV Charger)용 6세대 600V SJ(Super Junction) MOSFET는 36mΩ 및 37mΩ의 낮은 RDS(ON)을 구현해 전도 손실을 최소화했다. 게이트와 소스 사이에 Zener Diode를 내장해 정전기 방전(ESD)으로 인한 소자 손상을 방지해 신뢰도를 높인 이 제품은 칩 크기를 이전 세대 대비

IT 리더의 90%는 AI 기반 위협 대응 준비에 허점 있다고 인식해

by PEMK 매거진 -
Lenovo logo

AI 도입과 디지털 업무환경 전환이 가속화되면서 많은 기업은 사이버 복원력을 저해하는 요인이 보안 도구의 부족이 아니라 점점 심화되는 운영 복잡성과 고도화되는 위협이라는 사실을 확인하고 있다. 최근 연구에 따르면 IT 리더의 90%는 AI 기반 위협을 방어하는 역량에 허점이 있음을 인정했다. 보안 투자가 지속적으로 확대되고 있음에도

전기차 충전: 설치 의무는 생겼는데 사업자가 없다

by 오윤경 기자 -

전기차 충전시설 의무 설치 유예기간이 종료됐지만 전국 곳곳의 공동주택에서는 여전히 충전기 설치에 어려움을 겪고 있다. 충전기 수요가 적거나 사업성이 낮다는 이유로 충전사업자를 찾지 못하는 사례가 이어지면서 전기차 충전 인프라의 사각지대가 발생하고 있다. 전기차 충전 플랫폼 기업 플러그링크가는 이러한 충전 인프라 공백을 해소하기 위해

Vishay’s standard-level 40V MOSFETs prevent false triggering and reduce noise in motor control circuits

by Hordon Kim -

Vishay Intertechnology unveiled four new 40 V TrenchFET® Gen IV standard-level n-channel power MOSFETs in the 6.15 mm by 5.15 mm PowerPAK® SO-8 single package. Optimized for the noisy environments of motor control circuits, the Vishay Siliconix SIR5402DP, SIR5404DP, SIR5406DP, and SIR5408DP combine a high minimum gate-source threshold voltage of