5배 더 높은 에너지 밀도의 초저 인덕턴스 스마트(ULIS) 모듈

재생 에너지, 에너지 효율, 에너지 시스템 분야를 전문으로 하는 미국의 국립 재생 에너지 연구소(NREL)가 최첨단 SiC 전력 모듈보다 기생 인덕턴스가 7~9배 낮은 초저 인덕턴스 스마트(ULIS) SiC 전력 모듈을 개발했다. 1200V, 400A 모듈은 이전 설계보다 5배 더 높은 에너지 밀도를 더 작은 패키지로 달성할

업계 최초의 실리콘 CMOS 양자 컴퓨터가 나왔다

Quantum Motion이 표준 실리콘 CMOS 기술 기반의 업계 최초 풀스택 양자 컴퓨터를 출시했다. 영국 국립 양자 컴퓨팅 센터(NQCC)에 설치된 이 시스템은 실리콘 기반 양자 하드웨어 접근 방식에 있어 중요한 이정표를 이루었다. 이 시스템은 NQCC가 양자 컴퓨팅 테스트베드 프로그램에 따라 구축한 최초의 실리콘 스핀 큐비트 컴퓨터이다. 300mm CMOS

미쓰비시전기, 소형 DIPIPM 전력 반도체 모듈 출시

1997년 스위칭 소자와 제어 IC를 트랜스퍼 몰드 패키지에 통합하여 DIPIPM을 처음 상용화했던 미쓰비시 전기의 제품들리 에어컨, 세탁기, 난방 시스템, 산업용 모터 등 인버터 구동 애플리케이션의 필수품으로 자리잡은데 이어 고효율, 소형 전력 모듈로 시장의 요구의 부응하고 있다. 미쓰비시 전기는 그 일환으로 패키지형 에어컨 및 히트펌프

차세대 엔터프라이즈 AI를 위한 서버나왔다

GIGABYTE의 자회사이자 가속 컴퓨팅 서버와 첨단 냉각 기술 분야의 업계 선두업체인 Giga Computing이 XL44-SX2-AAS1 서버를 출시했다. 이 서버는 NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell Server Edition GPU, NVIDIA BlueField-3 DPU, 그리고 NVIDIA ConnectX-8 SuperNIC을 통합하여 컴퓨팅과 고속 데이터 전송을 하나로 결합해 차세대 엔터프라이즈 AI를

8대 기기를 동시에 전원 공급하는 휴대용 파워 스테이션 

휴대용 전원 솔루션 분야 전문업체인 BLUETTI가 엘리트 30 V2 휴대용 전원 스테이션의 두 가지 새로운 색상을 출시했다. 엘리트 30 V2는 클래식 블랙 색상 외에도 라이트 샌드 그레이 와 메도우 그린 색상으로 출시되어, 생생한 파워로 야외 활동에 활력을 불어넣었다. BLUETTI는 마카롱에서 영감을 받은 매력적인 색상으로 휴대용 파워 스테이션을 제작했다.

PoDL(Power over Data Line) 관련 제품 유통 쉬워져

마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 아두이노(Arduino)의 새로운 ASX00073 우노 SPE 실드(UNO SPE Shield)를 공급한다. ASX00073 실드는 싱글 페어 이더넷(single pair ethernet, SPE)과 RS485를 통해 새로운 프로젝트와 기존 프로젝트에 첨단 연결 기능을 지원한다. SPE는 전력과 데이터를 단일쌍 와이어로 동시에 전달할 수 있는 새로운 이더넷 통신 표준으로, PoDL(Power over

소형 폼팩터, 높은 전력 밀도의 고체 배터리

고체 배터리는 기존 리튬 이온 배터리에 비해 더 높은 에너지 밀도, 향상된 안전성, 더 빠른 충전, 더 긴 수명 등 여러 가지 주요 장점을 제공한다. 기존 리튬 이온 전지와 유사하게 작동하지만 리튬 이온 전지에 사용되는 액체 전해질과 분리막 대신 세라믹이나 폴리머와 같은

NXP의 i.MX 애플리케이션 프로세서 기반 SOM 유통 좋아져

Avnet과 Toradex가 전 세계 고객에게 회사의 시스템 온 모듈(SoM), 단일 보드 컴퓨터(SBC) 및 소프트웨어 도구 전체 포트폴리오에 대한 액세스를 제공하기 위한 글로벌 유통 계약을 체결했다. 이번 파트너십을 통해 Avnet의 임베디드 및 엣지 컴퓨팅 솔루션이 확장되고 엔지니어는 Toradex의 안전하고 확장 가능한 솔루션에 더욱 폭넓게

2-in-1 실리콘 카바이드( SiC ) 몰드 모듈

로옴(ROHM)이 PV 인버터 , UPS 시스템, 반도체 릴레이 등 산업용 전력 애플리케이션에서 높은 설계 유연성과 전력 밀도를 제공하는 2-in-1 실리콘 카바이드( SiC ) 몰드 모듈 DOT-247을 출시했다 . 기존 TO-247 모듈의 풋프린트는 그대로 유지하면서 칩 용량은 두 배로 늘린 이 새로운 모듈은 시스템 통합을 간소화하고 전력 변환 설계를 간소화해준다. DOT-247(SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx)은

WIN Semiconductor, 선형성에 최적화된 GaN 공정 구축해

대만의 복합 반도체 파운드리인 WIN Semiconductors가 SiC 기판에서 0.12μm 게이트 길이 고갈 모드(D-모드) GaN HEMT 기술을 발표했다. K-대역에서 V-대역 주파수에 이르기까지 까다로운 고전력 애플리케이션을 위해 설계된 NP12-1B 공정은 차세대 RF 및 마이크로파 시스템을 위한 뛰어난 선형성, 견고성 및 안정성을 갖춘 업계 최고의 고전력