Tag: SiC

Soitec’s SmartSiC™ technology for mobility

by Hordon Kim -

Soitec's SmartSiC™ technology for mobility sets an additional standard in power electronics to drive the electrification, autonomy, sustainability, power- and cost-efficiency of electric vehicles & industrial applications. The Auto SmartSiC™ product line enables to reach new levels of ultra high conductivity and performances of devices

SiC 반도체 시장에 뛰어드는 태국

by 이철민 기자 -

태국이 2027년 가동을 목표로 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 공장을 설립한다. 반도체 산업에서 큰 진전을 이룰 것으로 보이는 이 프로젝트는 국내 기업인 하나 마이크로일렉트로닉스와 태국석유공사(FTT) 간에 이루어진 투자를 기반으로 한다. 태국으로서는 첫 전력반도체 생산 시설이 될 이 합작 프로젝트가 확정됨에 따라 올해 안으로 건설이 시작될

산업용 전력 장비의 고효율화를 위한 도시바의 SiC 쇼트키 배리어 다이오드

by 이철민 기자 -

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지가 광전지 인버터, EV 충전소 및 스위칭 전원 공급 장치와 같은 산업 장비용 3세대 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky barrier diodes) 라인업에 1200V 제품의 ‘TRSxxx120Hx 시리즈’를 추가했다. TO-247-2L 패키지 5개와 TO-247 패키지 5개 등 시리즈 중 10개의 신제품으로 출하된 TRSxxx120Hx

[New] 400, 800V EV 아키텍처용 SiC 전력 반도체

by Hordon Kim -

차세대 GaNFast™ 질화갈륨(GaN) 및 GeneSiC™ 탄화규소(SiC) 전력 반도체 분야의 전문업체인 Navitas Semiconductor가 D2PAK-7L(TO-263-7) 및 TOLL(TO-Leadless) 표면 실장(SMT) 패키지의 3세대 자동차 인증 SiC MOSFET 포트폴리오를 출시했다. Navitas의 독점적인 ' 트렌치 지원 플래너 ' 기술은 온도에 따라 업계 최고의 성능을 제공하고 전기 자동차(EV) 충전, 견인 및 DC-DC 변환을

실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 하이브리드 솔루션 나왔다

by PEMK 매거진 -
실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 하이브리드 솔루션

온세미, 새로운 전력 모듈 출시.. 설치 공간 줄이고 전력 출력 15% 증가 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미(Onsemi)는 최신 실리콘(Si)과 실리콘카바이드(SiC)가 결합된 하이브리드 전력 통합 모듈(PIM)을 새로운 패키지로 출시한다. 이는 유틸리티 규모의 태양광 스트링 인버터 또는 에너지 저장 시스템(ESS) 애플리케이션의 전력

온세미, 엘리트SiC M3e MOSFET 출시

by PEMK 매거진 -
Onsemi, EliteSiC M3e MOSFET

최신 EliteSiC M3e MOSFET, 전력 소모가 많은 애플리케이션에서 에너지 효율 크게 향상 온세미, 2030년까지 다양한 차세대 SiC 도입 계획 발표 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미가 최신 세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 플랫폼인 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) M3e MOSFET 도입을 발표했다. 이와 함께

[New] Vishay Intertechnology의 3세대 1200V SiC 쇼트키다이오드

by 오승모 기자 -
Vishay logo

비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)가 16개의 새로운 3세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 출시했다. 병합된 PIN 쇼트키(MPS) 설계를 특징으로 하는 비쉐이 반도체 소자들은 높은 서지 전류 견고성과 낮은 순방향 전압 강하, 용량성 충전 및 역방향 누설 전류를 결합하여 스위칭 전원 설계의 효율성과 신뢰성을

[New] 넥스페리아의 프리미어 SiC MOSFET

by PEMK 매거진 -

Nexperia의 1200V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 30mΩ, 40mΩ, 60mΩ 및 80mΩ RDSon 값으로 제공되는 D2PAK-7 표면 실장형 (SMD) 패키징으로 제공된다. 이 소자는 넥스페리아가 2023년 말에 3핀, 4핀 TO-247 패키지로 출시한 2개의 개별 SiC MOSFET에 이은 후속 제품이다. 이 MOSFET은 유연한 패키지 옵션에

[New] 다양한 스위칭 기능의 4리드 SuperGaN 소자

by Hordon Kim -

GaN 전력 반도체 전문회사인 트랜스폼이 4리드 TO-247 패키지(TO-247-4L)의 두 종류의 새로운 SuperGaN® 소자를 출시했다. 이번에 출시된 TP65H035G4YS 및 TP65H050G4YS FET는 각각 35mΩ 및 50mΩ의 온 저항을 제공하며 켈빈 소스 단자와 함께 사용해 훨씬 더 적은 에너지 손실로 다양한 스위칭 기능을 고객에게 제공한다. 트랜스폼의

넥스페리아, 산업용 SiC MOSFET 시장으로 진출

by PEMK 매거진 -

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을