[New] 최고 전력 밀도의 DCDC 컨버터 

CoolGaN 트랜지스터

비테스코 테크놀로지가 인피니언의 CoolGaN™ 트랜지스터로 최고 전력 밀도의 DCDC 컨버터를 개발했다. 컨버터는 모든 전기자동차와 하이브리드 자동차에서 고전압 배터리를 저전압 보조 회로에 연결하는 데 필수적이다. 저전압 보조 회로에는 12V 단으로 파워 헤드라이트, 실내조명, 와이퍼와 창문 모터, 팬 등이 있고, 48V 단으로 펌프, 스티어링 드라이브,

QROMIS is recognized with Global Enabling Technology Leadership Award for Addressing Cost and Reliability Challenges in the GaN Semiconductors Market

OST enables ALL GaN applications

Frost & Sullivan recently researched the GaN semiconductors industry and, based on its findings, recognizes QROMIS with the 2024 Global Enabling Technology Leadership Award. QROMIS is a world-class advanced semiconductor technologies provider that offers high-performance materials solutions to help global businesses enhance their digital transformation,

SK하이닉스 자회사, 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발하고 테슬라용 제품 생산 나선다

SK하이닉스 자회사 SK키파운드리가 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발에서 괄목할 만한 성과를 거뒀다. 비즈니스코리아의 최근 보고서에 따르면 파운드리 공장은 2024년 하반기부터 테슬라용 전력반도체 생산을 시작할 예정이다. 보고서에 따르면 SK 키파운드리는 6월 초에 효율성과 내구성 면에서 전통적인 실리콘 기반 반도체를 능가하는 650V GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 주요 소자 특성을

TI와 델타 일렉트로닉스, 전기차 온보드 충전 위한 기술 협력 발표

TI와 델타 일렉트로닉스, 전기차 온보드 충전 발전을 위한 협력 발표

전력 밀도, 성능 및 크기를 최적화한 새로운 온보드 충전 솔루션 내놓는다 좌: 제임스 탕(James Tang) 델타 일렉트로닉스 모빌리티 부문 총괄 부사장 겸 전기차 솔루션 사업 그룹 책임자 / 우: 아미카이 론(Amichai Ron) TI 임베디드 프로세싱 부문 수석 부사장 텍사스 인스트루먼트(TI)는 글로벌 전력 및 에너지

트랜스폼과 웰트렌드 세미컨덕터, 새로운 통합 GaN 시스템-인 패키지 출시

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GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 트랜스폼과 어댑터 USB 전력 공급(PD) 컨트롤러 집적회로(IC) 분야의 글로벌 리더인 웰트렌드 세미컨덕터가 두 가지 새로운 GaN 시스템 인 패키지(System-in-Package, SiP)를 출시했다. 작년에 발표된 웰트렌드의 플래스쉽 GaN SiP와 결합하면 새로운 이 제품은 트랜스폼의 SuperGaN® 플랫폼에 기반한 최초의 SiP 제품군을 구축하게

[New] 다양한 스위칭 기능의 4리드 SuperGaN 소자

GaN 전력 반도체 전문회사인 트랜스폼이 4리드 TO-247 패키지(TO-247-4L)의 두 종류의 새로운 SuperGaN® 소자를 출시했다. 이번에 출시된 TP65H035G4YS 및 TP65H050G4YS FET는 각각 35mΩ 및 50mΩ의 온 저항을 제공하며 켈빈 소스 단자와 함께 사용해 훨씬 더 적은 에너지 손실로 다양한 스위칭 기능을 고객에게 제공한다. 트랜스폼의

[New] 2륜 및 3륜 전기 자동차용 배터리 충전기 레퍼런스 디자인

 GaN 전력 반도체 전문업체인 트랜스폼이 전기 자동차(“EV”) 충전 애플리케이션을 위한 두 가지 새로운 레퍼런스 디자인을 출시했다. 300W 및 600W 정전류/정전압(Constant Current/Constant Voltage)(CC/CV) 배터리 충전기는 이 회사의 70 및 150밀리옴 SuperGaN® 소자를 사용해 경쟁력 있는 비용으로 높은 전력 밀도로 고효율 AC-DC 전원 전환을

화합물 전력반도체 고도화 개발, 5년간 1,385억 투입한다

산업통상자원부에 따르면, 내년 부터 향후 5년간 '화합물 전력반도체 고도화 기술개발 사업'에 총 1385억원이 투입된다. 이는 11월 23일 개최된 '제6회 파워반도체-파워코리아 포럼'에서 발표됐다. 산업부(장관 방문규)와 한국반도체산업협회(회장 곽노정)는 11월 23일 서울 엘타워 그레이스홀에서 전력반도체 업계 임직원 등 200여명이 참석한 가운데 '제6회 파워반도체-파워코리아 포럼'을 개최했다. 전력(power) 반도체란