국내 이차전지 전문기업 그리너지(Grinergy)가 영국에서 본격적인 글로벌 양산 체제 구축에 나섰다.
그리너지는 영국 파트너사와 합작해 설립한 합작법인 ‘타이탄볼트(TITANVOLT)’를 통해 스코틀랜드 던디(Dundee)에 대규모 LTO(리튬티타네이트) 배터리 공장 설계에 착수했다고 22일 발표했다.
이번 공장은 100년 이상의 역사를 지닌 스코틀랜드 대표 기업 D.C. Thomson의 Kingsway 부지에 들어서며, LTO
iDEAL Semiconductor가 자사의 SuperQ 기술을 제품에 적용해 생산을 시작했다.
SuperQ 아키텍처는 실리콘 전력 소자에서 탁월한 성능과 효율을 제공하여 실리콘의 근본적인 스위칭 및 전도 장벽을 돌파한 것으로 알려졌다.
iDEAL Semiconductor는 이 아키텍처가 n-전도 영역을 거의 두 배로 늘리고(최대 95% 전도 경로 활용률) 경쟁 제품
미국 반도체 및 광전자 기업인 코히런트(Coherent)가 최근 베트남에 신규 공장을 개장했다. 동나이성 노짝 산업단지에 건설될 1억 2,700만 달러 규모의 이 공장은 SiC 반도체, 광학 유리, 첨단 광전자 부품을 생산하고 있다.
코히런트는 2005년 베트남에 진출하여 빈즈엉성(Binh Duong) VSIP1 산업단지에 첫 공장을 설립해 가동을 시작한
음극재에 실리콘을 사용하면 흑연보다 최대 10배 더 많은 전하를 저장할 수 있다. Titan Silicon을 통해 리튬 이온 배터리의 상업적 사용을 위해 팽창을 획기적으로 줄이고 실리콘의 강력한 특성을 안전하게 활용한 최초의 회사인 Silanano Titan Silicon를 프로모션한다.
흑연을 Titan Silicon으로 대체하면 업계 최고 성능의 셀에
ACT-ion의 혁신적인 LXP+ 단결정 CAM은 풍부한 재료로 만들어져 다기능 쉘 증착으로 강화된 소재이다. 성능과 비용의 이점을 제공하는 이 CAM은 향상된 지속 가능성으로 제조의 공급망 제약을 해소시킨다.
음극 입자의 보호 쉘은 리튬 이온 배터리의 성능과 수명을 향상시키는 데 필수적이다. 이는 배터리 작동 중에 발생할
EPC(Efficient Power Conversion)는 베이징 지식재산권 법원이 Innoscience(Suzhou) Technology Co., Ltd.(이하, Innoscience)가 제기한 항소를 기각했다고 발표했다. 이로써 EPC의 중국 특허 번호 ZL201080015425.X(" 보상형 게이트 MISFET 및 그 제조 방법 ")의 유효성이 재확인되었다.
베이징 지식재산권 법원의 이번 결정은 EPC의 귀중한 지식재산권 포트폴리오를 더욱 강화하고, 증강형 GaN
에너지 전환과 탄소 중립 목표에 힘입어 에너지 저장 산업이 빠르게 확대되고 있다. 전 세계적으로 대규모 프로젝트가 등장하면서 리프팅 장비의 성능 기준도 높아지는 추세이다. 산이(SANY)는 이에 대응해 기술 혁신 투자를 이어가며 대규모 프로젝트 수요에 맞춘 에너지 저장 리치스태커 제품군을 선보였다.
올해 3월에 65톤 에너지 저장
최근 몇 년간 AI 분야의 혁신은 자율주행 기술의 접근 방식을 근본적으로 변화시켰다. 엔드투엔드 아키텍처, 트랜스포머, 데이터 스케일링 법칙 등은 모두 기술적 도약을 이끌어내며, 복잡한 도시 환경을 안전하게 처리할 수 있는 더 강력하고 인간과 유사한 주행 능력을 가능하게 했다.
그러나 주차, 자동 긴급 제동 (AEB),
통합 에이전트 AI 및 클라우드 엔지니어링 플랫폼인 람다테스트(LambdaTest)가 실제 디바이스 테스트를 위한 미디어 인젝션(Media Injection)에 비디오 인젝션(Video Injection) 기능을 출시하여, 카메라 및 비디오 기반 앱 기능을 대규모로 테스트할 수 있도록 강력하게 지원한다.
이 새로운 기능을 통해 개발자와 QA 팀은 실제 Android 및 iOS 기기에서
역방향 연결 및 과도 전압에 대한 견고하고 안정적인 보호 기능을 제공하는 Diodes의 AP74502Q 및 AP74502HQ 자동차 호환 80V 이상형 다이오드 컨트롤러는 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 차체 제어 모듈, 인포테인먼트 시스템, 외부 조명 및 USB 충전 포트에 적용되는 소자이다.
이 다이오드 컨트롤러는 효율적이고 빠른 역극성 보호 회로를 구현하는
