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Wolfspeed, Navitas를 상대로 특허 소송 제기

by Hordon Kim -

Wolfspeed가 미국 델라웨어 지방법원에 나비타스 반도체(Navitas Semiconductor)를 상대로 특허 침해 소송을 제기했다. 나비타스는 소송에서 자사의 다양한 제품들이 자사의 여러 특허, 특히 미국 특허 번호 8,169,005, 10,998,418, 10,886,396, 10,749,443, 11,888,392를 침해했다고 주장했다. 침해 혐의를 받는 제품에는 GaN 기반 FET(예: GaNFast®, GaNSlim™, GaNSafe® 제품군)를 포함한

고방열, 고내압의 SiC MOSFET의 상면 방열 패키지 개발돼

by Hordon Kim -

로옴 (ROHM)이 SiC MOSFET의 TSC3PAK (14.00×18.58×3.50mm) 패키지를 개발했다. 신제품은 자동 실장이 가능한 면실장 제품으로, 방열면을 패키지 윗면에 배치한 구조를 채용함으로써, 기존의 리드 타입 패키지 (TO-247-4L)와 동등한 수준의 방열 성능을 실현했다. 이 패키지 제품은 xEV (전동차)의 온보드 차저 (OBC)나 전동 컴프레서 등에서 전력

인피니언, 세계 최대 규모의 전력 반도체 및 아날로그/혼합신호 팹 개소

by Hordon Kim -

인피니언 테크놀로지스가 독일 드레스덴의 스마트 파워 팹을 예정보다 앞당겨 개소했다. 총 50억유로가 투자된 이 공장은 인피니언 역사상 최대 규모의 단일 투자 프로젝트이자 독일 내 최대 규모 투자 프로젝트 중 하나로, 1000개의 신규 일자리를 창출한다. 이번 신규 공장으로 드레스덴 생산 능력은 두 배로 확대되며,

엘앤에프, LCA·데이터 스페이스 연계 기반 스마트팩토리 구축

by 오윤경 기자 -

글로벌 이차전지 소재 전문기업 엘앤에프가 전과정평가(LCA) 시스템과 블록체인 기반 데이터 스페이스 연계 체계를 구축하며, 글로벌 ESG 규제에 선제적으로 대응하기 위한 ‘ABB(AI·빅데이터·블록체인) 스마트팩토리’ 기반을 마련했다고 밝혔다. 2027년 EU의 ‘디지털 배터리 여권(DBP)’ 탑재 의무화를 앞두고 글로벌 OEM들이 공급망 전반의 품질·탄소·변경 이력에 대한 투명성을 핵심 요구사항으로

건국대 연구팀, 차세대 리튬이온전지 양극재 설계 기술 개발

by 오승모 기자 -

리튬망간철인산염은 기존 리튬인산철(LFP) 양극재보다 높은 전압 영역을 활용할 수 있어 에너지 밀도를 높일 수 있는 차세대 양극재로 주목받고 있다. 그러나 실제 전기차와 ESS 운전 환경에서는 높은 에너지 밀도뿐 아니라 빠른 충·방전이 가능한 출력 특성, 저온에서도 안정적인 구동 성능, 장기간 사용에도 성능 저하를

울프스피드, 고전압 탄화규소(SiC) 도입 가속화

by 이철민 기자 -

GE 에어로스페이스와 울프스피드가 산업, 항공우주 및 방위 시장 전반에 걸쳐 고전압 탄화규소의 도입을 가속화하기 위한 협력 양해각서(MOU)를 체결했다. 이번 양해각서(MOU)에 따라 양사는 고전압 탄화규소 전력 모듈 표준을 개발하여 고체 변압기, 산업 전력화, 차세대 항공우주 및 방위(A&D) 플랫폼을 지원하고 공급망 복원력을 강화할 계획이다. 이러한

GaN MMIC 설계 위험 감소시키는 워크플로우

by Hordon Kim -

키사이트 테크놀로지스(Keysight Technologies)와 윈 세미컨덕터스(WIN Semiconductors)가 GaN MMIC 설계 업체들이 첫 번째 시도에서 테이프아웃에 성공할 수 있도록 지원하는 공동 MMIC 설계 워크플로우를 내놓았다. 이 워크플로우는 온칩 멀티 도메인 시뮬레이션, 검증을 포함한 3D 레이아웃, 그리고 오프칩 MMIC 평가 보드 설계를 단일 환경으로 통합한다. 이로써

국내 reGaN 기술, 세계 최초 742GHz GaN HEMT 구현

by Hordon Kim -

IVWorks의 독자적인 reGaN 선택적 재성장 기술을 적용한 GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)가 세계 최초로 최대 주파수(fmax) 700GHz를 돌파했다 . 경북대학교 전자공학과 김대현 교수 연구팀이 개발한 45nm GaN HEMT 소자를 통해 달성된 이 성과는 지난 달 개최되었던 VLSI 심포지엄 2026에서 공개되었다. 연구팀은 게이트 길이가 45nm인

 SiC 칩 내장 패키징 기술

by Hordon Kim -

 USI(Universal Scientific Industrial) 기판 및 모듈 통합 기술을 활용해 실리콘 카바이드(SiC) 다이를 다층 ABF 기판에 내장하는 첨단 전력 반도체 패키징 기술을 내놓았다. 이 기술은 세라믹 기판 절연 및 와이어 본딩이 없는 구조를 업계 표준 전력 패키지에 통합하는 단면 구리 노출(SSC) 모듈 패키징을

AlpSemi, 차세대 고체 회로 차단기 전력 스위치 시장 확대한다

by 이철민 기자 -

알프세미가 프랑스의 Yotta Capital 주도하에 SE Ventures, Navitas Semiconductor, Cycle Group이 참여한 1,700만 유로 규모의 투자 라운드를 성공적으로 완료했다. 이 자금은 주거 및 상업용 건물의 고체 차단기(SSCB)와 800V 직류(DC) AI 데이터 센터를 위해 특별히 설계된 AlpSemi의 차세대 반도체 전력 스위치의 산업화 및 상업적